|сгенерировать QR код
Открытый доступ
Только для подписчиков
Влияние типа металла и толщины слоeв на поглощение оптического излучения профилированными структурами Si3N4/Me/Si3N4
Аннотация
В спектрах поглощения оптического излучения структурами Si3N4/Me/Si3N4, рассчитанных методом конечных разностей во временной области, обнаружено влияние толщины структурных слоев на интенсивность и ширину полосы поглощения. Уменьшение суммарной толщины верхнего и нижнего слоев Si3N4 с 400 до 100 нм приводит к росту поглощения в среднем на 20 % и уширению полосы поглощения с интенсивностью >90 % с 0.8 до 1.6 мкм. Показано, что в спектре поглощения структуры Si3N4/Ti/Si3N4 с толщиной каждого слоя 50 нм ширина полосы поглощения с интенсивностью >90 % составляет 4.3 мкм. Уменьшение толщины профилированного слоя Ti от 130 до 50 нм приводит к незначительному снижению максимального значения поглощения с 99 до 96 %. Показано, что уширение полосы поглощения связано с влиянием толщины Si3N4 на интерференционные процессы в структурах Si3N4/Ti/Si3N4. Установлено, что зависимость интенсивности поглощения от типа металла в диапазоне 8.3—13 мкм может быть обусловлена зависимостью концентрации свободных электронов от типа металла.
При поддержке: Работа выполнена в рамках проекта государственной программы научных исследований “Фотоника и электроника для инноваций” (проект 3.1.2, № ГР 20212702), а также при финансовой поддержке Белорусского республиканского фонда фундаментальных исследований в рамках гранта Т-22-030.
Для цитирования:
Козодоев С.В., Мухаммад А.И., Колос В.В., Гайдук П.И. Влияние типа металла и толщины слоeв на поглощение оптического излучения профилированными структурами Si3N4/Me/Si3N4. Журнал прикладной спектроскопии. 2025;92(2):187-192.
For citation:
Kozodoev S.V., Muhammad A.I., Kolos V.V., Gaiduk P.I. Influence of Metal Type and Layer Thickness on Absorption of Optical Radiation by Profiled Si3N4/Me/Si3N4 Structures. Zhurnal Prikladnoii Spektroskopii. 2025;92(2):187-192. (In Russ.)
Просмотров: 39
Послать статью по эл. почте 