Морфология поверхности, оптические и электрофизические свойства пленок ванадата иттрия YVO4

Методом высокочастотного импульсно-периодического (f ~ 13 кГц) воздействия лазерного излучения с длиной волны 1.064 мкм и плотностью мощности q = 64 МВт/см² на керамику ванадата иттрия YVO₄ при давлении в вакуумной камере p = 3 Па получены наноструктурированные тонкие пленки на кремниевой подложке. Методом атомно-силовой микроскопии изучена морфология тонких пленок YVO₄. Получены спектры пропускания пленок в видимой, ближней и средней ИК-областях. Проведен анализ электрофизических свойств структуры YVO₄/Si.

1. C. H. Huang, G. Zhang, Y. Wei, L. X. Huang, H. Y. Zhu, X. J. Huang. Optik – Int. J. Light and Electron Optics, 121, N 7 (2010) 595—598, doi: 10.1016/j.ijleo.2008.09.0

2. M. N. Getz, O. Nilsen, P. A. Hansen. Sci. Rep., 9 (2019) 10247(1—9), doi: 10.1038/s41598-019-46694-8

3. T. Chen, H. Zhang, Z. Luo, J. Liang, X. Facile Wu. Coatings, 12, N 4 (2022) 461, doi: 10.3390/coatings12040461

4. S. Georgescu, A. M. Voiculescu, E. Cotoi, O. Toma, L. Gheorghe, A. Achim, M. Osiac. ROMOPTO 2009: Ninth Conference on Optics: Micro- to Nanophotonics, II, 74690С (2009), doi: 10.1117/12.866769

5. D. R. Milev, P. A. Atanasov, A. O. Dikovska, I. G. Dimitrov, K. P. Petrov, G. V. Avdeev. Appl. Surface Sci., 253, N 19 (2007) 8250—8253, doi: 10.1016/j.apsusc.2007.02.110

6. S. Yi, J. S. Bae, B. C. Choi, K. S. Shim, H. K. Yang, B. K. Moon, J. H. Kim. Opt. Mater., 28, N 6-7 (2006) 703—708, doi: 10.1016/j.optmat.2005.09.04

7. P. Kumari, P. K. Baitha, J. Manam. Indian J. Phys., 89, N 12 (2015) 1297—1306, doi: 10.1007/s12648-015-0712-x

8. A. Klausch, H. Althues, T. Freudenberg, S. Kaskel. Thin Solid Films, 520, N 13 (2012) 4297—4301, doi: 10.1016/j.tsf.2012.02.062

9. S. N. Ogugua, O. M. Ntwaeaborwa, H. C. Swart. Coatings, 10, N 11 (2020) 1078, doi: 10.3390/coatings10111078

10. G. Bai, H. Zhang, C. Foster. Thin Solid Films, 325, N 1-2 (1998) 115—122, doi: 10.1016/s0040-6090(98)00508-2

11. Cho Shinho. Appl. Phys. A, 127 (2021) 161, doi: 10.1007/s00339-021-04308-z

12. F. Wang, S. N. Zhu, K. W. Cheah. J. Appl. Phys., 99 (2006) 096103, doi: 10.1063/1.2192147

13. И. А. Наговицын, Г. К. Чудинова, А. И. Зубов, Е. В. Зведеев, Ю. М. Таиров, В. А. Мошников, И. Е. Кононова, В. В. Курилкин. Хим. физика, 35, № 7 (2016) 55—59

14. Л. Я. Минько, А. Н. Чумаков, Н. А. Босак. Квант. электрон., 17, № 11 (1990) 1480—1484

15. А. Н. Магунов, О. В. Лукин. Микроэлектроника, 25, № 2 (1996) 97—111

16. В. А. Гуртов. Электронные процессы в структурах металл–диэлектрик–полупроводник, Петрозаводск, ПГУ (1984)

17. М. Я. Ходос, Б. В. Шульгин, Ф. Ф. Гаврилов, А. А. Фотиев, В. М. Лиознянский. Журн. прикл. спектр., 16, № 6 (1972) 1023—1028

18. H. J. Rajendra, C. Pandurangappa. Nanosci. Nanotech. Res., 4, N 2 (2017) 43—48, doi: 10.12691/nnr-4-2-2

19. W. Xu, Y. Wang, X. Bai, B. Dong, Q. Liu, J. Chen, H. Song. J. Phys. Chem. C, 114, N 33 (2010) 14