

Быстрое выявление дефектов в металлических компонентах аддитивного производства с помощью лазерно-искровой эмиссионной спектроскопии в сочетании с нейронной сетью обратного распространения и алгоритмом случайного леса
Аннотация
Лазерно-искровая эмиссионная спектроскопия (LIBS) использована для быстрой идентификации дефектов в металлических компонентах аддитивного производства и контрольных групп без дефектов. По характеристическим эмиссионным линиям четырех элементов (Fe, Cr, Mn и Ti), выбранным из базы данных методом построения “случайного леса” (RF) классификационных деревьев, проведена классификация дефектов и бездефектных образцов методом k-ближайших соседей (KNN) и нейронной сетью с обратным распространением ошибки (BPNN). Сравнение эффективности классификации и результатов верификации моделей KNN, RF-KNN и RF-BPNN показало преимущество модели RF-BPNN, которая продемонстрировала в обучающем, тестовом и проверочном наборах наилучшую точность (99.4, 97.2 и 96.67% соответственно). Показано, что LIBS в сочетании с RF-BPNN можно использовать для обнаружения дефектов при 3D-печати металлических изделий.
Ключевые слова
Об авторах
S. GaoКитай
Цюаньчжоу, Фуцзянь
X. Lin
Китай
Цюаньчжоу, Фуцзянь; Чанчунь, Цзилинь
Y. Huang
Китай
Цюаньчжоу, Фуцзянь
Z. Chen
Китай
Цюаньчжоу, Фуцзянь
H. Chen
Китай
Цюаньчжоу, Фуцзянь
Список литературы
1. F. Calignano, D. Manfredi, E. P. Ambrosio, et al., Proc. IEEE, 105, No. 4, 593–612 (2017).
2. A. N. Guojin, Modern Machinery, Issue 3 (2019).
3. M. Dadkhah, M. H. Mosallanejad, L. Luliano, et al., Acta Metall. Sin. (Engl. Lett.), 34, 1173–1200 (2021), doi: 10.1007/s40195-021-01249-7.
4. D. Gu, D. Dai, M Xia, et al., J. Nanjing University of Aeronautics & Astronautics, 49, No. 5, 645–652 (2017).
5. H. Masuo, Y. Tanaka, S. Morokoshi, et al., Proc. Struct. Integrity, 7, 19–26 (2017), doi: 10.1016/j.prostr.2017.11.055.
6. D. S. Ertay, M. A. Naiel, M. Vlasea, et al., CIRP J. Manufacturing Science and Technology, 35, No. 2, 298–314 (2021), doi: 10.1016/j.cirpj.2021.06.015.
7. J. Lee, H. J. Park, S. Chai, et al., Appl. Sciences, 11, No. 4, 1966 (2021), doi: 10.3390/app11041966.
8. Z. Guo, P. Ni, Y. Dai, et al., J. Phys.: Conf. Ser., 1827, No. 1, 012039(1–7) (2021).
9. W. Du, Q. Bai, Y. Wang, et al., Int. J. Adv. Manufacturing Technology, 95, 3185–3195 (2018).
10. H. Rieder, A. Dillhöfer, M. Spies, et al., Proc. 11th Eur. Conf. Non-Destructive Testing, 1, 2194–2201 (2014).
11. D. W. Yee, M. L. Lifson, B. W. Edwards, et al., Adv. Materials, 31, No. 33, 1901345 (2019), doi: 10.1002/adma.201901345.
12. R. Hama-Saleh, A. Weisheit, J. H. Schleifenbaum, et al., Proc. Manufacturing, 47, 1023–1028 (2020), doi: 10.1016/j.promfg.2020.04.317.
13. S. Doshvarpassand, X. Wang, X. Zhao, Struct. Health Monitoring, 21, No. 2, 354–369 (2022), doi: 10.1177/1475921721999599.
14. C. Gu, Y. Lu, M. Chen, et al., Measurement, 187 (2022), doi: 10.1016/j.measurement.2021.110166
15. S. Felix, S. R. Majumder, H. K. Mathews, et al., Sci. Rep., 12, No. 1, 8503 (2022), doi: 10.1038/s41598022-12381-4.
16. V. Detalle, X. Bai, Spectrochim. Acta B: At. Spectroscopy, 191, 106407 (2022), doi: 10.1016/j.sab.2022.106407.
17. L. B. Guo, D. Zhang, L. X. Sun, et al., Front. Physics, 16, No. 2 (2021), doi: 10.1007/s11467-020-1007-z.
18. Y. Zhang, T. Zhang, H. Li, Spectrochim. Acta B: At. Spectroscopy, 181, 106218 (2021), doi: 10.1016/j.sab.2021.106218.
19. D. A. Gonalves, G. S. Senesi, G. Nicolodelli, Trends Environ. Anal. Chem., 30C, e00121 (2021), doi: 10.1016/j.teac.2021.e00121.
20. K. Zhang, Z. Xu, F. Fang, Spectroscopy and Spectral Analysis, 41, No. 06 (2021), doi: 10.3964/j.issn.1000-0593(2021)06-1961-05.
21. H. Kim, J. Lee, E. Srivastava, et al., Spectrochim. Acta B: At. Spectroscopy, 184, No. 7, 106282 (2021), doi: 10.1016/j.sab.2021.106282.
22. P. A. Sdvizhenskii, V. N. Lednev, R. D. Asyutin, et al., J. Anal. At. Spectrometry, 35 (2020), doi: 10.1039/C9JA00343F.
23. V. N. Lednev, P. A. Sdvizhenskii, R. Asyutin, et al., Opt. Express, 27, No. 4, 4612–4628 (2019), doi: 10.1364/OE.27.004612.
Рецензия
Для цитирования:
Gao S., Lin X., Huang Y., Chen Z., Chen H. Быстрое выявление дефектов в металлических компонентах аддитивного производства с помощью лазерно-искровой эмиссионной спектроскопии в сочетании с нейронной сетью обратного распространения и алгоритмом случайного леса. Журнал прикладной спектроскопии. 2025;92(3):414.
For citation:
Gao S., Lin X., Huang Y., Chen Z., Chen H. Rapid Identification of Defects in Metal Additive Manufacturing Components by LIBS Combined with BP-Neural Network and Random Forest Method. Zhurnal Prikladnoii Spektroskopii. 2025;92(3):414.