ВКР-преобразование излучения Nd:YAG микрочип-лазера в CVD-алмазе
Аннотация
Исследовано вынужденное комбинационное рассеяние (ВКР) в монокристалле искусственного алмаза CVD, помещенного в резонатор микрочип-лазера. Микрочип-лазер построен на основе композитного кристалла: активного элемента Nd3+:YAG/пассивного затвора Cr4+:YAG. Накачка осуществлялась излучением диодного лазера ( = 808 нм) с мощностью 2.2—4.5 Вт. Варьирование мощности накачки приводило к изменению частоты следования генерируемых на длине волны = 1064 нм импульсов от 7 до 30 кГц. Энергия лазерных импульсов в зависимости от экспериментальных условий варьировалась в пределах 5.1—10 мкДж, при этом их длительность находилась в диапазоне 2—3 нс. Импульсы первой стоксовой компоненты ( = 1240 нм) имели энергию 1.75—3.75 мкДж, а их длительность по сравнению с лазерными сокращалась до минимальных 0.6 нс.
Ключевые слова
Об авторах
В. П. КозичБеларусь
Минск
Е. А. Чешев
Россия
Москва
К. В. Прохорчук
Россия
Москва
И. М. Тупицын
Россия
Москва
В. А. Орлович
Беларусь
Минск
Список литературы
1. J. J. Zayhowski, J. Harrison. In: Handbook of Photonics, 8, Ed. M. G. Gupta, CRC Press, Boca Raton (1997) 326—393
2. R. J. Williams, D. J. Spence, O. Lux, R. P. Mildren. Opt. Express, 25 (2017) 749—757
3. C. Y. Tang, Y. J. Huang, H. C. Liang, Y. F. Chen, K. W. Su. Appl. Phys. B, 123, N 20 (2017), https://doi.org/10.1007/s00340-016-6614-6
4. S. V. Voitikov, A. A. Demidovich, L. E. Batay, M. B. Danailov, A. N. Kuzmin. Opt. Commun., 251 (2005) 154—164
5. J. J. Zayhovski, A. L. Wilson Jr. IEEE J. Quantum Electron., 39 (2003) 1588—1593
6. J.-Ph. M. Feve, K. E. Shortoff, M. J. Bohn, J. K. Brasseur. Opt. Express, 19, N 2 (2011) 913—922
7. J. Miao, B.Wanga, J. Penga, H. Tana, H. Bian. Opt. Laser Technol., 40 (2008) 137—142
8. E. Raikkonen, S. C. Buchter, M. Kaivola. IEEE J. Quantum Electron., 45 (2009) 1563—1570
9. M. Tsunekane, T. Taira. IEEE J. Quantum Electron., 49 (2013) 117—124
10. A. A. Demidovich, P. A. Apanasevich, L. E. Batay, A. S. Grabtchikov, A. N. Kuzmin, V. A. Lisinetskii, V. A. Orlovich, O. V. Kuzmin, V. L. Hait, W. Kiefer, M. B. Danailov. Appl. Phys., B76 (2003) 509—514
11. T. Omatsu, Y. Ojima, H. M. Pask, J. A. Piper, P. Dekker. Opt. Commun., 232 (2004) 327—331
12. A. A. Demidovich, S. V. Voitikov, L. E. Batay, A. S. Grabtchikov, M. B. Danailov, V. A. Lisinetskii, A. N. Kuzmin, V. A. Orlovich. Opt. Commun., 263 (2006) 52—59
13. T. T. Basiev, S. V. Vassiliev, V. A. Konjushkin, V. V. Osiko, A. I. Zagumenni, Y. D. Zavartsev, S. A. Kutovoi, I. A. Shcherbakov. Laser Phys. Lett., 1 (2004) 237—240
14. P. V. Shpak, S. V. Voitikov, A. A. Demidovich, M. B. Danailov, V. A. Orlovich. Appl. Phys. B, 108, N 2 (2012) 268—281, https://doi.org/10.1007/s00340-012-4960-6
15. Y. F. Chen. Opt. Lett., 29 (2004) 1251—1253
16. Y. F. Chen, K. W. Su, H. J. Zhang, J. Y. Wang, M. H. Jiang. Opt. Lett., 30 (2005) 3335—3337
17. F. Su, X. Zhang, Q. Wang, S. Ding, P. Jia, S. Li, S. Fan, C. Zhang, B. Liu. J. Phys. D, Appl. Phys., 39 (2006) 2090—2093
18. S. Ding, X. Zhang, Q. Wang, F. Su, P. Jia, S. Li, S. Fan, J. Chang, S. Zhang, Z. Liu. IEEE J. Quantum Electron., 42 (2006) 927—933
19. C. L. Du, L. Zhang, Y. Q. Yu, S. C. Ruan, Y. Y. Guo. Appl. Phys., B101 (2010) 743—746
20. A. A. Kaminskii, V. G. Ralchenko, V. I. Konov, H. J. Eichler. Phys. Status Solidi, 242, N 1 (2005) R4—R6
21. A. A. Demidovich, A. S. Grabtchikov, V. A. Orlovich, M. B. Danailov, W. Kiefer. Proc. CLEO Europe/IQEC, Munich, Germany, 12—15 June 2005, 29B (2025) 632
22. R. S. Balmer, J. R. Brandon, S. L. Clewes, H. K. Dhillon, J. M. Dodson, I. Friel, P. N. Inglis, T. D. Madgwick, M. L. Markham, T. P. Mollart, N. Perkins, G. A. Scarsbrook, D. J. Twitchen, A. J. Whitehead, J. J. Wilman, S. M. Woollard. J. Phys.: Cond. Matter., 21 (2009) 364221—364244
23. В. И. Конов. Квант. электрон., 45 (2015) 1043—1049
24. В. П. Пашинин, В. Г. Ральченко, А. П. Большаков, Е. Е. Ашкинази, В. И. Конов. Квант. электрон., 48, № 3 (2018) 201—205
25. Y. Li, J. Ding, Zh. Bai, X. Yang, Y. Li, J. Tang, Yu Zhang, Y. Qi, Y. Wang, Zh. Lu. High Power Laser Sci. and Eng., 9 (2021) e35, doi: 10.1017/hpl.2021.25
26. V. A. Orlovich, A. A. Demidovich, A. S. Grabtchikov, V. A. Lisinetskii, V. N. Burakevich, P. A. Apanasevich, M. B. Danailov. Asian J. Phys. 15, N 2 (2006) 231—238
27. A. E. Siegman. Lasers, University Science Books, Mill Valley, Calif. (1986) 1024
28. G. H. Xiao, M. Bass. IEEE J. Quantum Electron., 33 (1997) 41—44
29. R. V. Chulkov, V. Y. Markevich, A. Y. Alyamani, E. A. Cheshev, V. A. Orlovich. Opt. Lett., 42, N 23 (2017) 4824—4827
30. С. А. Ахманов, Д. Е. Дьяков, А. С. Чиркин. Введение в статистическую радиофизику и оптику, Москва, Наука (1981) 580
31. D. J. Spence. Prog. Quant. Electron., 51, N 1 (2017) 1—45, doi: 10.1016/j.pquantelec.2016.11.001
32. A. I. Vodchits, V. P. Kozich, P. A. Apanasevich, V. A. Orlovich. Opt. Commun., 125 (1996) 243—249
33. П. А. Апанасевич. Журн. прикл. спектр., 6 (1967) 322—331 [P. A. Apanasevich. J. Appl. Spectr., 6 (1967) 216—221], https://doi.org/10.1007/BF00606340
34. S. Ding, M. Wang, S. Wang, W. Zhang. Opt. Express, 21, N 11 (2013) 13052—13061
35. S. Ding, X. Zhang, Q. Wang, J. Zhang, S. Wang, Y. Liu, X. Zhang. J. Phys. D Appl. Phys., 40 (2007) 2736—2747
36. H. Zhou, S. Zhu, W. Jiang, Z. Li, Y. Wang, H. Yin, Z. Chen. J. Yuan. Optik, 127 (2016) 10588—10592
Рецензия
Для цитирования:
Козич В.П., Чешев Е.А., Прохорчук К.В., Тупицын И.М., Орлович В.А. ВКР-преобразование излучения Nd:YAG микрочип-лазера в CVD-алмазе. Журнал прикладной спектроскопии. 2026;93(5):612-618.
For citation:
Kozich V.P., Cheshev E.A., Prochorchuk K.V., Tupitsyn I.M., Orlovich V.A. Raman Conversion of Nd:YAG Microchip Laser Radiation in CVD Diamond. Zhurnal Prikladnoii Spektroskopii. 2026;93(5):612-618. (In Russ.)
JATS XML





















