ВЛИЯНИЕ КОНЦЕНТРАЦИИ СЕРЫ НА ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ПЛЕНОК ZnS, СИНТЕЗИРОВАННЫХ НА ЗАТРАВОЧНОМ СЛОЕ ZnO МЕТОДОМ ОСАЖДЕНИЯ В ХИМИЧЕСКОЙ ВАННЕ

Пленки ZnS синтезированы на затравочном слое ZnO осаждением химических растворов с концентрацией серы 6, 7 и 8 % с отжигом при 500 °С. Рабочие температуры затравочного слоя ZnO и пленок ZnS 50 ± 5 и 70 ± 5 ºC. Измерены структурные, оптические и морфологические характеристики этих пленок. Анализ методом энергодисперсионной рентгеновской спектроскопии показал, что пленки S:7 % имеют максимальное элементное отношение серы. Все пленки имеют преимущественную гексагональную [110] ориентацию с различными полными ширинами на уровне половинной амплитуды. Наиболее очевидные наноразмерные образования наблюдались в пленках S:7 %. Пленки S:6 % имеют более высокую оптическую прозрачность (>65 % в видимой области). Анализ спектра фотолюминесценции показал, что с включением серы интенсивности широкой синей и узкой зеленой полос излучения изменяются.

пленки ZnS, затравочный слой ZnO, осаждение химических растворов, фотолюминесценция, ультрафиолетовая спектроскопия, ZnS films, ZnO seed layer, chemical bath deposition, photoluminescence, UV-Vis spectroscopy

1. C. H. Frijters, P. Poodt, A. Illiberi, Solar Energy Mater. Solar Cells, 15, 356-361 (2016).

2. Ü. Özgür, D. Hofstetter, H. Morkoc, IEEE 98, 7, 1180-1196 (2010).

3. K. Seomoon, J. Lee, P. Jang, C. Jung, K. Kim, Curr. Appl. Phys., 11, 522-526 (2011).

4. N. Magayasamy, S. Gandhimathination, V. Veerasamy, Open J. Metal, 3 (2013).

5. E. Pourshaban, H. Abdizadeha, M. R. Golobostanfard, Proc. Mater. Sci., 11, 352-358 (2015).

6. J. Song, S. Lim, J. Phys. Chem. C, 111, 596-600 (2007).

7. 519-6 Z. Alaie, S. M. Nejad, M. H.Yousefi, S. Safarzadeh, Int. J. Nanosci. Nanotechnol., 12, 119-125 (2016).

8. F. Özütok, S. Demiri, Digest J. Nanomater. Biostruct., 12, 309-317 (2017).

9. Z. Yang, W. Zhong, Y. Deng, C. Au, Y. Du, Nanoscale Res. Lett., 5, 1124-1127 (2010).

10. L. Zhu, P. Chen, Y. Guo, Y. Song, X. Xue, X. Cao, Colloids and Surfaces A: Physicochem. Eng. Aspects, 360, 111-119 (2010).

11. R. R. Thankalekshmi, A.C. Rastogi, J. Appl. Phys., 112, 063708-063718 (2016).

12. N. K. Allouche, T. B. Nasr, N. T. Kamouna, C. Guasch, Mater. Chem. Phys., 123, 620-624 (2010).

13. P. Hu, G. Gong, F. Zhan, Y. Zhang, R. Li, Y. Cao, Dalton Trans., 45, 2409-2416 (2016).

14. K. Kim, K. Utashiro, Y. Abe, M. Kawamura, Int. J. Electrochem. Sci., 9, 2080-2089 (2014).

15. L. Lin, Y. Qiu, Y. Zhang, H. Zhang, Chin. Phys. Soc., 33, 107801-107805 (2016).

16. S. Golmohammadi, Y. Rouhani, K. Abbasian, A. Rostami, Progres. Electromagn. Res. B, 18, 311-325 (2009).

17. D. Kurbatov, A.Оpanasyuk, S. Kshnyakına, V. Мelnik, V. Nesprava, Rom. J. Phys., 55, 213-219 (2008).

18. C. Persson, Phys. Rev. Lett., 97, 146403-146407 (2006).

19. B. D. Viezbicke, S. Patel, B. E. Davis, D. P. Birnie, Phys. Status Solidi B, 252 1700-1710 (2015).

20. M. Jaquez, K. M. Yu, M. Ting, M. Hettick, J. F. Sanchez-Royo, M. Wełna, M. Javey, O. D. Dubon, W. Walukiewicz, J. Appl. Phys., 118, 215702-215709 (2015).

21. N. Roy, A. Roy, J. Mater. Sci: Mater. Electron., 25, 1275-1279 (2014).

22. X. Wang, S. Liu, P. Chang, Y. Tang, Chin. J. Chem. Phys., 20, 632-636 (2007).

23. Z. Chen, X.X. Li, D. Guoping, Q. Yu, B. Li, X. Huang, Ceram. Int., 40, 13151-13157 (2014).

24. R. Jayakrishnan, K. Mohanachandran, R. Sreekumar, C. S. Kartha, K. P. Vijayakumar, Mater. Sci. Semiconduct. Proc., 16, 326-331 (2013).

25. D. A. Reddy, D. H. Kim, S. J. Rhee, B. W. Lee, C. Liu, Nanoscale Res. Lett., 9, 20-28 (2014).