Preview

Журнал прикладной спектроскопии

Расширенный поиск
Доступ открыт Открытый доступ  Доступ закрыт Только для подписчиков

ИССЛЕДОВАНИЕ ОПТИЧЕСКИХ СВОЙСТВ ТОНКИХ ПЛЕНОК InSb, ВЫРАЩЕННЫХ НА ПОДЛОЖКАХ GaAs, МЕТОДОМ ТЕМПЕРАТУРНО-ЗАВИСИМОЙ СПЕКТРОСКОПИЧЕСКОЙ ЭЛЛИПСОМЕТРИИ

Полный текст:

Аннотация

Тонкие пленки InSb выращены на подложках GaAs методом химического осаждения из газовой фазы путем термического разложения и исследованы с помощью температурно-зависимой спектроскопической эллипсометрии (TD-SE). Найдены показатель преломления, коэффициент экстинкции и диэлектрическая проницаемость пленок InSb. Изменение энергий критических точек (E1, E1 + Δ1, E2, E1'), связанное с переходами InSb в возбужденном состоянии, и вторых производных диэлектрической функции по энергии при разных температурах показывает, что тонкая пленка InSb обладает высокой стабильностью электрических и оптических свойств в исследуемом температурном диапазоне. Анализ TD-SE позволил установить область температур для использования устройств на основе InSb/GaAs. Выше 250oC InSb интенсивно окисляется, образуя тонкий слой In-O, вызывающий значительное изменение оптических констант. Показано, что оптимизированные тонкие пленки InSb, выращенные на подложках GaAs, обладают хорошими оптическими и структурными свойствами.

Об авторах

Liang
Физико-технический колледж, Университет Гуанси
Россия


F. . Wang
Физико-технический колледж, Университет Гуанси
Россия


X. . Luo
Физико-технический колледж, Университет Гуанси
Россия


Q. . Li
Физико-технический колледж, Университет Гуанси
Россия


T. . Lin
Физико-технический колледж, Университет Гуанси
Россия


I. T. Ferguson
Миссурийский университет науки и технологии
Россия


Q. . Yang
Физико-технический колледж, Университет Гуанси
Россия


L. . Wan
Физико-технический колледж, Университет Гуанси
Россия


Z. C. Feng
Физико-технический колледж, Университет Гуанси
Россия


Список литературы

1. V. K. Dixit, B. V. Rodrigues, H. L. Bhat, J. Appl. Phys., 90, 1750-1753 (2001).

2. V. K. Dixit, B. V. Rodrigues, H. L. Bhat, R. Venkataraghavan, K. S. Chandrasekaran, B. M. Arora, J. Cryst. Growth, 235, 154-160 (2002).

3. T. D. Mishima, M. B.Santos, J. Vac. Sci. Technol. B, B, 1472-1474 (2004).

4. M. Shafa, H. Ji, L. Gao, P. Yu, Q. H. Ding, Z. H. Zhou, H. D. Li, X. B. Niu, J. Wu, Z. M. Wang, Mater. Lett., 169, 77-81 (2016).

5. M. Hilal, B. Rashid, S. H. Khan, A. Khan, Mater. Chem. Phys., 184, 41-48 (2016).

6. P. Ciochon´, N. Olszowska, S. Wróbel, J. Kołodziej, Appl. Surf. Sci., 400, 154-161 (2017).

7. Y. Contreras, A. J. Muscat, Appl. Surf. Sci., 370, 67-75 (2016).

8. I. D. Burlakova, K. O. Boltara, P. V. Vlasova, A. A. Lopukhina, A. I. Toropovd, K. S. Zhuravlevd, V. V. Fadeev, J. Commun. Technol. Electron., 62, 309-313 (2017).

9. A. V. Filatov, E. V. Susov, V. V. Karpov, V. A. Zhilkin, S. P. Ljubchenko, N. S. Kusnezov, A. V. Marushchenko, J. Commun. Technol. Electron., 62, 326-330 (2017).

10. V. Pusino, C. Z. Xie, A. Khalid, I. G. Thayne, D. R. S. Cumming, Microelectron. Eng., 153, 11-14 (2016).

11. T. Miyazaki, M. Kunugi, Y. Kitamura, S. Adachi, Thin Solid Films, 28, 51-56 (1996).

12. K. Li, A. T. S. Wee, J. Lin, K. K. Lee, F. Watt, K. L. Tan, Z. C. Feng, J. B. Webb, Thin Solid Films, 302, 111-115 (1997).

13. Y. Iwamura, N. Watanabe, J. Cryst. Growth, 124, 371-376 (1992).

14. Z. C. Feng, C. Beckham, P. Schumaker, Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 450, 450 (1997).

15. M. A. Mckee, B.-S. Yoo, R. A. Stall, J. Cryst. Growth, 124, 286-291 (1992).

16. M. Razeghi, EPJAP, 23, 149-205 (2003).

17. T. J. Kim, S. Y. Hwang, J. Choi, J. S. Byun, M. S. Diware, H. G. Park, Y. D. Kim, J. Korean Phys. Soc., 61, 439-443 (2012).

18. T. J. Kim, S. Y. Hwang, J. S. Byun, M. S. Diware, J. Choi, H. G. Park, Y. D. Kim, J. Appl. Phys., 114, 103501 (2013).

19. T. J. Kim, J. S. Byun, J. Choi, H. G. Park, Y. R. Kang, J. C. Park, Y. D. Kim, J. Korean Phys. Soc., 64, 1872-1877 (2014).

20. V. R. D'Costa, K. H. Tan, B. W. Jia, S. F. Yoon, Y. C. Yeo, J. Appl. Phys., 117, 223106 (2015).

21. H. Sano, G. Mizutani, AIP Adv., 5, 117110 (2015).

22. E. B. Elkenany, Silicon, 8, 391-396 (2016).

23. T. R. Yang, Y. Cheng, J. B. Wang, Z. C. Feng, Thin Solid Films, 498, 158-162 (2006).

24. G. E. Jellison Jr, F. A. Modine, Appl. Phys. Lett., 69, 371 (1996).

25. S. Chen, Q. X. Li, I. Ferguson, T. Lin, L. Y. Wan, Z. C. Feng, L. Zhu, Z. Z. Ye, Appl. Surf. Sci., 421, 383-388 (2017).

26. D. Xie, Z. R. Qiu, Y. Liu, D. N. Talwar, L. Y. Wan, X. Zhang, T. Mei, I. T. Ferguson, Z. C. Feng, Mater. Res. Express, 4, 025903 (2017).

27. H. Fujiwara, Spectroscopic Ellipsometry: Principles and Applications, John Wiley & Sons, 181-184 (2007).

28. D. E. Aspnes, A. A. Studna, Phys. Rev. B, 27, 985 (1983).

29. T. J. Kim, J. J. Yoon, S. Y. Hwang, D. E. Aspnes, Y. D. Kim, H. J. Kim, Y. C. Chang, J. D. Song, Appl. Phys. Lett., 95, 11902 (2009).


Для цитирования:


Liang ., Wang F..., Luo X..., Li Q..., Lin T..., Ferguson I.T., Yang Q..., Wan L..., Feng Z.C. ИССЛЕДОВАНИЕ ОПТИЧЕСКИХ СВОЙСТВ ТОНКИХ ПЛЕНОК InSb, ВЫРАЩЕННЫХ НА ПОДЛОЖКАХ GaAs, МЕТОДОМ ТЕМПЕРАТУРНО-ЗАВИСИМОЙ СПЕКТРОСКОПИЧЕСКОЙ ЭЛЛИПСОМЕТРИИ. Журнал прикладной спектроскопии. 2019;86(2):262-269.

For citation:


Liang ., Wang F..., Luo X..., Li Q..., Lin T..., Ferguson I.T., Yang Q..., Wan L..., Feng Z.C. INVESTIGATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF InSb THIN FILMS GROWN ON GaAs BY TEMPERATURE-DEPENDENT SPECTROSCOPIC ELLIPSOMETRY. Zhurnal Prikladnoii Spektroskopii. 2019;86(2):262-269. (In Russ.)

Просмотров: 88


ISSN 0514-7506 (Print)