ИЗЛУЧЕНИЕ ВБЛИЗИ КРАЯ ПОЛОСЫ ПОГЛОЩЕНИЯ МЕХАНИЧЕСКИ ИЗМЕЛЬЧЕННЫХ И ТЕРМИЧЕСКИ ОТОЖЖЕННЫХ ЧАСТИЦ ZnO:Ge
Аннотация
Предложен способ синтеза частиц ZnO, легированных Ge, путем механического измельчения порошкообразной смеси Ge и ZnO (ZnO:Ge) с последующим термическим отжигом в атмосфере Ar+5% H2 для достижения контролируемого излучения ZnO вблизи границы полосы поглощения. Частицы ZnO:Ge получены механическим измельчением смеси порошка ZnO и Ge в течение 50 ч. Использованы различные соотношения ZnO/Ge и температуры отжига. Установлено, что при 667-2 температуре отжига 1000oC частицы ZnO:Ge имеют округлую форму с диаметром ~500 нм. В зависимости от содержания Ge и температуры отжига частицы ZnO, легированные Ge, обнаруживают излучение на длине волны 380 нм с подавлением видимой полосы ~500 нм.
При поддержке: This research is funded by Vietnam National Foundation for Science and Technology Development (NAFOSTED) (Grant No. 103.03-2016.14).
Об авторах
H. N. Van
Научно-исследовательский и технологический институт Phenikaa, A&A Green Phoenix Group; Университет Phenikaa
Вьетнам
Ханой, 10000
Вьетнам
Ханой, 10000
C. X. Thang
Ханойский университет науки и технологии
Вьетнам
Ханой
Вьетнам
Ханой
T. T. H. Tam
Национальный экономический университет
Вьетнам
Ханой
Вьетнам
Ханой
V. T. N. Minh
Школа химической инженерии, Ханойский университет науки и технологии
Вьетнам
Ханой
Вьетнам
Ханой
V.-H. Pham
Ханойский университет науки и технологии
Вьетнам
Ханой
Вьетнам
Ханой
Список литературы
1. J. J. Cole, X. Wang, R. J. Knuesel, H.O. Jacobs, Nano Lett., 8, 1477–1481 (2008).
2. M. Podlogar, J. J. Richardson, D. Vengust, N. Daneu, Z. Samardžija, S. Bernik, A. Rečnik, Adv. Funct. Mater., 22, 3136–3145 (2012).
3. Q. Tang, W. Zhou, J. Shen, W. Zhang, L. Kong, Y. Qian, Chem. Commun., 6, 712–713 (2004).
4. X. W. Sun, J. Z. Huang, J. X Wang, Z. Xu, Nano Lett., 8, 1219–1223 (2008).
5. Ü. Özgür, Ya. I. Alivov, C. Liu, A. Teke, M. A. Reshchikov, S. Doğan, V. Avrutin, S.-J. Cho, H. Morkoç, J. Appl. Phys., 98, 041301 (2005).
6. S. S. Warule, N. S. Chaudhari, B. B. Kale, M. A. More, CrystEngComm., 11, 2776–2783 (2009).
7. P. Jiang, J. J Zhou, H. F. Fang, C. Y. Wang, Z. L. Wang, S. S. Xie, Adv. Funct. Mater., 17, 1303–1310 (2007).
8. G. Shen, J. H. Cho, S. I. Jung, C. J. Lee, Chem. Phys. Lett., 401, 529–533 (2005).
9. Y. Liu, K. Ai, Q. Yuan, L. Lu, Biomaterials 32, 1185–1192 (2011).
10. M. Arita, M. Yamaguchi, M. Masuda, Mater. Transact., 45, 3180–3183 (2004).
11. Z. W. Pan, S. Dai, C. M. Rouleau, D. H. Lowndes, Angew.Chem., 117, 278–282 (2005).
12. P. R. Chalker, P. A. Marshall, P. J. King, K. Dawson, S. Romani, P. A. Williams, J. Ridealgh, M. J. Rosseinsky, J. Mater. Chem., 22, 12824–12829 (2012).
13. V. H. Pham, V. T. Kien, P. D. Tam, P. T. Huy, Mater. Sci. Eng. B, 209, 17–22 (2016).
14. A. Umar, B. Karunagaran, E. K. Suh, Y. B. Hahn, Nanotechnology, 17, 4072–4077 (2006).
15. S. Y. Kuo, W. C. Chen, F. I. Lai, C. P. Cheng, H. C. Kuo, S. C. Wang, W. F. Hsieh, J. Cryst. Growth, 287, 78–84 (2006).
16. Y. S. Kim, W. P. Tai, S. J. Shu, Thin Solid Films, 491, 153–160 (2005).
17. S. Kim, D. K. Lee, S. H. Hong, S. H. Eom, H. T. Oh, S. H. Choi, H. N. Hwang, C. C. Hwang, J. Appl. Phys., 103, 023514-1–023514-4 (2008).
18. H. S. Kang, J. S. Kang, S. S. Pang, E. S. Shim, S. Y. Lee, Mater. Sci. Eng. B, 102, 313–316 (2003).
19. S. H. Bae, S. Y. Lee, H. Y. Kim, S. Im, Opt. Mater., 17, 327–330 (2001).
20. E. N. Budilova, V. A. Nikitenko, S. M. Kokin, Bull. Rus. Acad. Sci. Phys., 79, 160–164 (2015).
Рецензия
Для цитирования:
Van H.N., Thang C.X., Tam T.T., Minh V.T., Pham V. ИЗЛУЧЕНИЕ ВБЛИЗИ КРАЯ ПОЛОСЫ ПОГЛОЩЕНИЯ МЕХАНИЧЕСКИ ИЗМЕЛЬЧЕННЫХ И ТЕРМИЧЕСКИ ОТОЖЖЕННЫХ ЧАСТИЦ ZnO:Ge. Журнал прикладной спектроскопии. 2019;86(4):667(1)-667(5).
For citation:
Van H.N., Thang C.X., Tam T.T., Minh V.T., Pham V. NEAR-BAND-EDGE EMISSION OF MECHANICALLY MILLED AND THERMALLY ANNEALED ZnO:Ge PARTICLES. Zhurnal Prikladnoii Spektroskopii. 2019;86(4):667(1)-667(5).
Просмотров: 282
Послать статью по эл. почте 