THE STRUCTURE OF BANDS DUE TO SILICON CARBIDE TRANSITIONS IN THE ENERGY REGION OF 4-35 еV
Abstract
About the Authors
V. V. SobolevRussian Federation
V. Val. Sobolev
Russian Federation
D. V. Anisimov
Russian Federation
References
1. V. Vlcek, G. Steinle-Neumann, L. Leppert, R. Armiento, S. Kummel. Phys. Rev. B, 91, N 3 (2015) 035107(9)
2. P. E. Trevisanutto, A. Terentjevs, L. A. Constantin, V. Olevano, F. D. Sala. Phys. Rev. B, 87, N 20 (2013) 205143(5)
3. В. В. Соболев. Оптические свойства и электронная структура неметаллов. Том I. Введение в теорию, Москва-Ижевск, ИКИ (2012)
4. I. Santoso, P. K. Gogoi, H. B. Su, H. Huang. Phys. Rev. B, 84, N 8 (2011) 081403(4)
5. В. В. Соболев. Оптические свойства и электронная структура неметаллов. Том II. Моделирование интегральных спектров элементарными полосами, Москва-Ижевск, ИКИ (2012)
6. A. I. Kalugin, V. V. Sobolev. Phys. Rev. B, 71, N 11 (2005) 115112(7)
7. В. В. Соболев, В. Вал. Соболев, Д. В. Анисимов. ФТТ, 50, N 1 (2016) 30-34
Review
For citations:
Sobolev V.V., Sobolev V.V., Anisimov D.V. THE STRUCTURE OF BANDS DUE TO SILICON CARBIDE TRANSITIONS IN THE ENERGY REGION OF 4-35 еV. Zhurnal Prikladnoii Spektroskopii. 2017;84(3):491-493. (In Russ.)