Для цитирования:

Мухаммад А.И., Гайдук П.И. Влияние толщины n-Si подложки и уровня ее легирования на поглощающие свойства кремниевых плазмонных структур в инфракрасном диапазоне. Журнал прикладной спектроскопии. 2021;88(6):887-894. https://doi.org/10.47612/0514-7506-2021-88-6-887-894

For citation:

Mukhammad A.I., Gaiduk P.I. Influence of the thickness of the n-Si substrate and its doping level on the absorbing properties of silicon plasmon structures in the infrared range. Zhurnal Prikladnoii Spektroskopii. 2021;88(6):887-894. (In Russ.) https://doi.org/10.47612/0514-7506-2021-88-6-887-894