Preview

Журнал прикладной спектроскопии

Расширенный поиск
Доступ открыт Открытый доступ  Доступ закрыт Только для подписчиков

Анализ пористого нанокремния на основе спектроскопии комбинационного рассеяния света

https://doi.org/10.47612/0514-7506-2022-89-1-51-56

Аннотация

Представлены технологии получения наноструктурированного кремния, в том числе пористого нанокремния. Описан способ синтеза пористого нанокремния методом электрохимического травления. Приведены основные параметры генерации пористого кремния с заданными характеристиками. Описаны результаты исследований образцов наноструктурированного пористого кремния, проведенных с использованием спектрометра InVia Raman Renishaw, позволяющего регистрировать и идентифицировать как аморфную, так и кристаллическую фазовую составляющую в образцах. По результатам гранулометрических исследований установлена кристаллическая структура образцов. Аппроксимацией спектров комбинационного рассеяния света подтверждено отсутствие аморфного кремния в исследуемых образцах. В спектрах комбинационного рассеяния света образцов наблюдается сдвиг линий в сторону меньших энергий, характерный для наночастиц при уменьшении их размеров. В спектрах фотолюминесценции синтезированных образцов пористого кремния наблюдается устойчивая интенсивная полоса в области 700–900 нм, что подтверждает нанокристаллический характер образцов. Продемонстрирована эффективность и чувствительность спектроскопии комбинационного рассеяния света, позволяющей регистрировать даже незначительные изменения в кристаллической и аморфной фракциях кремниевых структур.

Для цитирования:


Ротштейн В.М., Турдалиев Т.К., Ашуров Х.Б. Анализ пористого нанокремния на основе спектроскопии комбинационного рассеяния света. Журнал прикладной спектроскопии. 2022;89(1):51-56. https://doi.org/10.47612/0514-7506-2022-89-1-51-56

For citation:


Rotshteyn V.M., Turdaliev T.K., Ashurov Kh.B. Analysis of Porous Nanosilicon by Raman Spectroscopy. Zhurnal Prikladnoii Spektroskopii. 2022;89(1):51-56. (In Russ.) https://doi.org/10.47612/0514-7506-2022-89-1-51-56

Просмотров: 761


ISSN 0514-7506 (Print)