Вклад зонного флуктуационного потенциала и разупорядоченности гетерограниц в падение эффективности светодиодов на основе нитридов
https://doi.org/10.47612/0514-7506-2023-90-1-29-34
Аннотация
Экспериментально определены значения зонного флуктуационного потенциала (ЗФП) в квантовых ямах, расположенных в области объемного заряда (ООЗ) р–n-перехода, и латерального ЗФП в квантовых ямах вне ООЗ в синих, зеленых и ультрафиолетовых светодиодах на основе нитридов. На примере зеленых светодиодов показано, что низкая внешняя квантовая эффективность (ВКЭ) светодиодов в максимуме коррелирует с ростом ЗФП и разупорядоченностью гетерограниц в квантовых ямах, расположенных в ООЗ. Снижение ВКЭ в максимуме вызвано захватом носителей заряда на заряженные центры, локализованные на разупорядоченных гетерограницах. Величина латерального ЗФП в квантовых ямах, расположенных вне ООЗ, является основным параметром, определяющим падение ВКЭ от момента открытия р–n-перехода до плотностей тока 30—40 А/см2.
Об авторах
Е. И. ШабунинаРоссия
Санкт-Петербург
А. Е. Черняков
Санкт-Петербург
А. Е. Иванов
Санкт-Петербург
А. П. Карташова
Санкт-Петербург
В. И. Кучинский
Санкт-Петербург
Д. С. Полоскин
Санкт-Петербург
Н. А. Тальнишних
Санкт-Петербург
Н. М. Шмидт
Санкт-Петербург
А. Л. Закгейм
Санкт-Петербург
Список литературы
1. M. Meneghini, C. De Santi, A. Tibaldi, M. Vallone, F. Bertazzi, G. Meneghesso, E. Zanoni, M. Goano. J. Appl. Phys., 127 (2020) 211102
2. L. Wang, J. Jin, Ch. Mi, Zh. Hao, Y. Luo, Ch. Sun, Y. Han, B. Xiong, J. Wang, H. Li. Materials, 10 (2017) 1233
3. M. A. Caro, S. Schulz, E. P. O’Reilly. Phys. Rev. B, 88 (2013) 214103
4. A. M. Armstrong, B. N. Bryant, M. H. Crawford, D. D. Koleske, S. R. Lee, J. J. Wierer. J. Appl. Phys., 117 (2015) 134501
5. L. C. Le, D. G. Zhao, D. S. Jiang, L. Li, L. L. Wu, P. Chen, Z. S. Liu, J. Yang, X. J. Li, X. G. He, J. Zhu, H. Wang, S. M. Zhang, H. Yang. J. Appl. Phys., 114 (2013) 143706
6. A. I. Alhassan, N.G. Young, R. M. Farrell, C. Pynn, F. Wu, A. Y. Alyamani, Sh. Nakamura, S. P. Den Baars, J. S. Speck. Opt. Express, 26, N 5 (2018) 5591—5601
7. A. Tian, J. Liu, L. Zhang, Z. Li, M. Ikeda, Sh. Zhang, D. Li, P. Wen, F. Zhang, Y. Cheng, X. Fan, H. Yang. Opt. Express, 25, N 1 (2017) 415—421
8. T.-J. Yang, R. Shivaraman, J. S. Speck, Y.-R. Wu. J. Appl. Phys., 116 (2014) 113104
9. R. Butté, L. Lahourcade, T. K. Uždavinys, G. Callsen, M. Mensi, M. Glauser, G. Rossbach, D. Martin, J.-F. Carlin, S. Marcinkevičius, N. Grandjean. Appl. Phys. Lett., 112 (2018) 032106
10. M. Piccardo, Ch.-K. Li, Y.-R. Wu, J. S. Speck, B. Bonef, R. M. Farrell, M. Filoche, L. Martinelli, J. Peretti, C. Weisbuc. Phys. Rev. B, 95 (2017) 144205
11. Ch.-K. Li, M. Piccardo, L.-Sh. Lu, S. Mayboroda, L. Martinelli, J. Peretti, J. S. Speck, C. Weisbuch, M. Filoche, Y.-R. Wu. Phys. Rev. B, 95 (2017) 144206
12. M. L. Badgutdinov, A. E. Yunovich. Semiconductors, 42 (2008) 429—438
13. S. Schulz, M. A. Caro, C. Coughlan, E. P. O’Reilly. Phys. Rev. B, 91 (2015) 035439
14. V. N. Petrov, V. G. Sidorov, N. A. Talnishnikh, A. E. Chernyakov, E. I. Shabunina, N. M. Shmidta, A. S. Usikov, H. Helava, Yu. N. Makarov. Semiconductors, 50, N 9 (2016) 1173—1179
15. M. Mandurrino, M. Goano, M. Vallone, F. Bertazzi, G. Ghione, G. Verzellesi, M. Meneghini, G. Meneghesso, E. Zanoni. J. Comput. Electron., 14 (2015) 444—455
16. Sh. Zhou, J. Li, Y. Wu, Y. Zhang, Ch. Zheng, Sh. Liu. J. Appl. Phys., 57 (2018) 051003
17. S. Steingrube, O. Breitenstein, K. Ramspeck, S. Glunz, A. Schenk, P. P. Altermatt. J. Appl. Phys., 110 (2011) 014515
18. A. Y. Polyakov, N. M. Shmidt, N. B. Smirnov, I. V. Shchemerov, E. I. Shabunina, N. A. Talnishnih, I.-H. Lee, L. A. Alexanyan, S. A. Tarelkin, S. J. Pearton. J. Appl. Phys., 125 (2019) 215701
19. N. A. Talnishnikh, A. E. Ivanov, A. G. Smirnova, E. I. Shabunina, N. M. Shmidt. J. Phys. Conf. Ser., 1199 (2019) 012015
20. N. M. Shmidt, A. E. Chernyakov, N. A. Talnishnih, A. E. Nikolaev, A. V. Sakharov, V. N. Petrov, E. V. Gushchina, E. I. Shabunina. J. Crystal Growth, 520 (2019) 82—84
21. R. Aleksiejūnas, K. Nomeika, S. Miasojedovas, S. Nargelas, T. Malinauskas, K. Jarašiūnas, Ö. Tuna, M. Heuken. Phys. Status Solidi (b), 252, N 5 (2015) 977—982
22. M. Auf der Maur, A. Pecchia, G. Penazzi, W. Rodrigues, A. Di Carlo. Phys. Rev. Lett., 116 (2016) 027401
23. G. Pozina, R. Ciechonski, Z. Bi, L. Samuelson, B. Monemar. Appl. Phys. Lett., 107 (2015) 251106
24. A. V. Aladov, A. E. Chernyakov, A. E. Ivanov, A. L. Zakgeim. Tech. Phys. Lett., 47 (2021) 834
25. Е. I. Shabunina, М. Е. Levinshtein, М. М. Kulagina, S. Yu. Kurin, А. Е. Chernyakov, V. N. Petrov, V. V. Ratnikov, I. N. Smirnova, S. I. Troshkov, N. М. Shmidt, А. S. Usikov, H. Helava, Yu. N. Makarov. J. Phys. Conf. Ser., 643 (2015) 012128
26. A. Y. Polyakov, N. M. Shmidt, N. B. Smirnov, I. V. Shchemerov, E. I. Shabunina, N. A. Talnishnih, P. B. Lagov, Yu. S. Pavlov, L. A. Alexanyan, S. J. Pearton. ECS J. Solid State Sci. Technol., 7, N 6 (2018) 323—328
Дополнительные файлы
1. Неозаглавлен | ||
Тема | ||
Тип | Прочее | |
Скачать
(B)
|
Метаданные ▾ |
Рецензия
Для цитирования:
Шабунина Е.И., Черняков А.Е., Иванов А.Е., Карташова А.П., Кучинский В.И., Полоскин Д.С., Тальнишних Н.А., Шмидт Н.М., Закгейм А.Л. Вклад зонного флуктуационного потенциала и разупорядоченности гетерограниц в падение эффективности светодиодов на основе нитридов. Журнал прикладной спектроскопии. 2023;90(1):29-34. https://doi.org/10.47612/0514-7506-2023-90-1-29-34
For citation:
Shabunina E.I., Chernyakov A.E., Ivanov A.E., Kartashova A.P., Kuchinsky V.I., Poloskin D.S., Talnishnikh N.A., Shmidt N.M., Zakgeim A.L. Contribution of Zone Fluctuation Potential and Disordering of Heteroboundaries into a Decrease of Efficiency of Nitride Based LEDs. Zhurnal Prikladnoii Spektroskopii. 2023;90(1):29-34. (In Russ.) https://doi.org/10.47612/0514-7506-2023-90-1-29-34