Preview

Журнал прикладной спектроскопии

Расширенный поиск

ОЖЕ-РЕКОМБИНАЦИЯ И УСИЛЕННАЯ ЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ В InAsSb/InAsSbP-СВЕТОДИОДАХ ПРИ ТЕМПЕРАТУРАХ 10-60 К

Полный текст:

Аннотация

На основе полученных экспериментальных данных для активного слоя InAs0.88Sb0.12 рассчитаны параметры Варшни температурной зависимости ширины запрещенной зоны в интервале температур 10-313 К, а также температурная зависимость энергии спин-орбитального расщепления зоны. Установлено, что для светодиодов на основе гетероструктуры InAs0.88Sb0.12/InAsSbP в интервале температур 10-35 К наблюдается усиленная люминесценция. Резкое падение интенсивности излучения InAsSb/InAsSbP-светодиодов при температуре >32 К обусловлено интенсивным ростом CHCС-процесса оже-рекомбинации, при этом для температур <35 К доминирующим процессом оже-рекомбинации является CHSH-процесс.

Об авторах

Д. М. Кабанов
ГНПО “Оптика, оптоэлектроника и лазерная техника”
Россия


Е. В. Лебедок
ГНПО “Оптика, оптоэлектроника и лазерная техника”
Россия


Ю. П. Яковлев
Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской АН
Россия


Список литературы

1. А. С. Головин, А. А. Петухов, С. С. Кижаев, Ю. П. Яковлев. Письма в ЖТФ, 37, № 11 (2011) 15-19

2. Harry T. Whelan, Ellen V. Buchmann, Noel T. Whelan, Scott G. Turner, Vita Cevenini, Helen Stinson, Ron Ignatius, Todd Martin, Joan Cwiklinski, Glenn A. Meyer, Brian Hodgson, Lisa Gould, Mary Kane, Gina Chen, James Caviness. Space Technology and Applications International Forum-2001, CP552, American Institute of Physics (2001) 35-45

3. Т. В. Безъязычная, М. В. Богданович, В. В. Кабанов, Д. М. Кабанов, Е. В. Лебедок, В. В. Паращук, А. Г. Рябцев, Г. И. Рябцев, П. В. Шпак, М. А. Щемелев, И. А. Андреев, Е. В. Куницына, В. В. Шерстнев, Ю. П. Яковлев. ФТП, 49, № 7 (2015) 1003-1006

4. W. Lu, T. Zhang, S. M. He, B. Zhang, N. Li, S. S. Liu. Opt. Quant. Electron., 41 (2009) 883-893

5. V.G. Harutyunyan, K.M. Gambaryan, V.M. Aroutiounian, I.G. Harutyunyan. Infrared Phys. Technol., 70 (2015) 12-14

6. Sanjeev, P. Chakrabarti. Infrared Phys. Technol., 67 (2014) 382-386

7. К. Д. Мынбаев, Н. Л. Баженов, А. А. Семаков, М. П. Михайлова, Н. Д. Стоянов, С. С. Кижаев, С. С. Молчанов, А. П. Астахова, А. В. Черняев, H. Lipsanen, В. Е. Бугров. ФТП, 51, № 2 (2017) 247-252

8. А. П. Астахова, Т. В. Безъязычная, Л. И. Буров, А. С. Горбацевич, А. Г. Рябцев, Г. И. Рябцев, М. А. Щемелев, Ю. П. Яковлев. ФТП, 42, № 2 (2008) 228-231

9. И. А. Вайнштейн, А. Ф. Зацепин, В. С. Кортов. ФТТ, 41, № 6 (1999) 994-998

10. В. Г. Талалаев, Б. В. Новиков, Г. Э. Цырклин, H. S. Leipner. ФТП, 49, № 11 (2015) 1531-1539

11. D. G. Chtchekine, G. D. Gilliland, Z. C. Feng, S. J. Chua, D. J. Wolford, S. E. Ralph, M. J. Schurman, I. Ferguson. MRS J. Nitride Semicond., 4S1 (1999) G6.47

12. M. Leroux, N. Grandjean, B. Beaumont, G. Nataf, F. Semond, J. Massies, P. Gibart. J. Appl. Phys., 86 (1999) 3721

13. K. J. Cheetham, A. Krier, I. P. Marko, A. Aldukhayel, S. J. Sweeney. Appl. Phys. Lett., 99 (2011) 141110

14. А. А. Петухов, Б. Е. Журтанов, С. С. Молчанов, Н. Д. Стоянов, Ю. П. Яковлев. ЖТФ, 81, № 4 (2011) 91-96

15. Masumi Takeshima. Phys. Rev. B, 26-2 (1982) 917-930

16. Masumi Takeshima. J. Appl. Phys., 43 (1972) 4114

17. Masumi Takeshima. Phys. Rev. B, 25-8 (1982) 5390-5414

18. I. Vurgaftman, J. R. Meyer. Appl. Phys. Rev., 89 (2001) 5815-5875

19. A. Haug. J. Phys. C: Solid State Phys., 17 (1984) 6191-6197

20. C. R. Pidgeon, C. M. Ciesla, B. N. Murdin. Prog. Quantum Electron., 21-5 (1998) 361-419

21. A. Haug. J. Phys. Chem. Solids, 49-6 (1988) 599-605

22. http://www.ioffe.ru/SVA/NSM/Semicond/InAsSb

23. Landolt-Börnstein. Numerical Data and Functional Relationships in Science and Technology. Group III: Condensed Matter. Vol. 44 Semiconductors, Subvolume C. New Data and Updates for III-V, II-VI, and I-VII Compounds, Ed. U. Rössler, Berlin, Springer-Verlag Heidelberg (2010)

24. P. T. Landsberg, M. S. Abrahams, M. Osinski. IEEE J. Quant. Electron., QE-21 (1985) 24

25. А. А. Афоненко, В. К. Кононенко, И. С. Манак, В. А. Шевцов. ФТП, 31, № 9 (1997) 1087-1091

26. В. П. Грибковский. Теория поглощения и испускания света в полупроводниках, Минск, Наука и техника (1975)

27. M. S. Bresler, M. Levinshtein, S. Rumyantsev, M. Shur. Handbook Series on Semiconductor Parameters, London, World Scientific, 2 (1999) 132-152

28. A. Miller, E. Garmire, A. Kost. Nonlinear Optics in Semiconductors. II, Academic, New York, 59 (1999) 70


Рецензия

Для цитирования:


Кабанов Д.М., Лебедок Е.В., Яковлев Ю.П. ОЖЕ-РЕКОМБИНАЦИЯ И УСИЛЕННАЯ ЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ В InAsSb/InAsSbP-СВЕТОДИОДАХ ПРИ ТЕМПЕРАТУРАХ 10-60 К. Журнал прикладной спектроскопии. 2017;84(5):786-793.

For citation:


Kabanau D.M., Lebiadok Y.V., Yakovlev Yu.P. AUGER RECOMBINATION AND AMPLIFIED LUMINESCENCE IN InAsSb/InAsSbP-BASED LEDS AT TEMPERATURES OF 10-60 K. Zhurnal Prikladnoii Spektroskopii. 2017;84(5):786-793. (In Russ.)

Просмотров: 89


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 0514-7506 (Print)