Фотоэлектрические характеристики гетероструктур SiC/Si

Эпитаксиальные слои SiC толщиной 80 нм на Si-подложке выращены методом молекулярнолучевой эпитаксии при 950 °C. Спектры комбинационного рассеяния света содержат пик при 793 см^–1, что соответствует поперечной оптической фононной моде кубического политипа SiC. Показано, что увеличение фототока в областях 1.25—1.4 и 1.5—2.0 эВ связано с дефектами в гетероструктуре SiC/Si. Обнаружено, что спектры фотолюминесценции гетероструктур SiC/Si и Pt₂Si/SiC/Si содержат две основные полосы излучения в синей (2.8 эВ) и красной (1.9 эВ) областях.

1. G. Ferro. Crit. Rev. Solid State Mater. Sci., N 40 (2015) 56—76, https://www.tandfonline.com/doi/abs/10.1080/10408436.2014.940440

2. W. R. Chang, Y. K. Fang, S. F. Ting, Y. S. Tsair, C. N. Chang, C. Y. Lin, S. F. Chen. IEEE Electron. Dev. Lett., 24, N 9 (2003) 565—567, https://ieeexplore.ieee.org/document/1224519

3. A. Aldalbahi, E. Li, M. Rivera, R. Velazquez, T. Altalhi, X. Peng, P. X. Feng. Sci Rep., 6 (2016) 23457, https://www.nature.com/articles/srep23457

4. Y. Chen, Y. Francescato, J. D. Caldwell, V. Giannini, T. W. W. Maß, O. J. Glembocki, F. J. Bezares, T. Taubner, R. Kasica, M. Hong, S. A. Maier. ACS Photon., 1 (2014) 718—724, https://pubs.acs.org/doi/10.1021/ph500143u

5. J. Fan, P. K. Chu. General Properties of Bulk SiC in Silicon Carbide Nanostructures: Fabrication, Structure, and Properties, Ch. 2, Springer Int. Publ., Switzerland (2014) 7—114, https://link.springer.com/book/10.1007/978-3-319-08726-9

6. M. Bosi, C. Ferrari, D. Nilsson, P. J. Ward. Crystal. Eng. Comm., 18 (2016) 7478—7486, https://pubs.rsc.org/en/content/articlelanding/2016/CE/C6CE01388K

7. M. Zimbone, M. Mauceri, G. Litrico, E. G. Barbagiovanni, C. Bongiorno, F. La Via. J. Crystal Growth, 498 (2018) 248—257, https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2018.06.003

8. I. A. Skibarko, O. V. Milchanin, P. I. Gaiduk, F. F. Komarov, J. Marks, B Pastuszka, A. Iller, R. Diduszko. Inst. Phys. Conf. Ser., 166 (1999) 465—469

9. М. В. Лобанок. Изв. Гомельского гос. ун-та имени Ф. Скорины, № 6 (2022) 124—129

10. L. A. Falkovsky, J. M. Bluet, J. Camassel. Phys. Rev. B, 57 (1998) 11283, https://journals.aps.org/prb/abstract/10.1103/PhysRevB.57.11283

11. И. Г. Аксянов, М. Е. Компан, И. В. Кулькова. ФТТ, 52 (2009) 1724—1728, http://journals.ioffe.ru/articles/viewPDF/1957

12. F. A. Johnson. Proc. Phys. Soc., 73 (1959) 265, https://iopscience.iop.org/article/10.1088/03701328/73/2/315

13. I. H. Campbell, P. M. Fauchet. Solid State Comm., 58 (1986) 739, https://www.sciencedirect.com/science/article/abs/pii/0038109886905132

14. А. С. Гращенко, Н. А. Феоктистов, А. В. Осипов, Е. В. Калинина, С. А. Кукушкин. ФТП, 51, № 5 (2017) 651—658, https://journals.ioffe.ru/articles/44423

15. V. I. Vlaskin, L. I. Berezhinsky, C. I. Vlaskina, D. H. Shin, K.-H. Kwon. J. Korean Phys. Soc., 42 (2003) 391—393

16. Н. Мотт, Э. Дэвис. Электронные процессы в некристаллических веществах, пер. с англ., Москва, Мир (1982)

17. E. Janzén, I. G. Ivanov, N. T. Son, B. Magnusson, Z. Zolnai, A. Henry, J. P. Bergman, L. Storasta, F. Carlsson. Phys. B, Cond. Matter (2003) 340—342, https://doi.org/10.1016/j.physb.2003.09.001

18. A. A. Lebedev. Semicond., 33 (1999) 107—130, https://doi.org/10.1134/1.1187657

19. F. Zhang. Sci. China Phys. Mech. Astron., 65 (2022) 107331, https://doi.org/10.1007/s11433-022-1941-5

20. M. V. Lobanok, A. I. Mukhammad, P. I. Gaiduk. J. Appl. Spectr., 89 (2022) 256—260, https://doi.org/10.1007/s10812-022-01352-2

21. В. В. Евстропов, И. Ю. Линьков, Я. В. Морозенко, Ф. Г. Пикус. ФТП, 26 (1992) 969—978

22. Д. Б. Шустов, А. А. Лебедев, С. П. Лебедев, Д. К. Нельсон, А. А. Ситникова, М. В. Заморянская. ФТП, 47 (2013) 1279—1282, http://journals.ioffe.ru/articles/viewPDF/5082

23. S. Castelletto, B. Johnson, V. Ivády, N. Stavrias, T. Umeda, A. Gali, T. Ohshima. Nature Mater., 13 (2014) 151—156, https://doi.org/10.1038/nmat3806