Preview

Журнал прикладной спектроскопии

Расширенный поиск
Доступ открыт Открытый доступ  Доступ закрыт Только для подписчиков

Структурные, оптические и фотоэлектрические свойства кремния, имплантированного ионами индия и сурьмы и подвергнутого импульсному отжигу

Аннотация

Для синтеза в приповерхностной области монокристалла кремния слоя узкозонного антимонида индия (InSb) проведена последовательная высокодозная имплантация кремния ионами In+ и Sb+ с энергией 30 кэВ и дозой 2 ∙ 1016 см–2. Отжиг имплантированных слоев Si:(In+Sb) в жидкофазном режиме проведен мощным импульсным (~100 нс) ионным пучком (C+/H+) с энергией 300 кэВ и плотностью энергии импульса 1.0 Дж/см2. Расчет суммарного глубинного профиля концентрации имплантированных атомов In и Sb с учетом распыления показал их максимальную концентрацию 40 ат.% на глубине ~20 нм. Методом резерфордовского обратного рассеяния ионов He+ обнаружена сегрегация примесных атомов к поверхности Si в результате импульсного отжига. Спектры рентгеновской дифракции в скользящих лучах и комбинационного рассеяния света указывают на формирование фазы InSb с уровнем деформации растяжения 0.6—0.7 %. С помощью оптических  ИК-спектров оценена концентрация электронов в слое 2 ∙ 1020 см–3 за счет донорной примеси Sb и показано образование интенсивной полосы поглощения при 3.85 мкм. Измерения фотоотклика на диодной меза-структуре при 300 К показали сдвиг края фоточувствительности до 1240 нм по сравнению с типовым Si-фотодиодом ФД-24. 

Об авторах

Р. И. Баталов
Казанский физико-технический институт им. Е. К. Завойского, Федеральный исследовательский центр “Казанский научный центр РАН”
Россия

Казань



В. В. Базаров
Казанский физико-технический институт им. Е. К. Завойского, Федеральный исследовательский центр “Казанский научный центр РАН”
Россия

Казань



В. И. Нуждин
Казанский физико-технический институт им. Е. К. Завойского, Федеральный исследовательский центр “Казанский научный центр РАН”
Россия

Казань



В. Ф. Валеев
Казанский физико-технический институт им. Е. К. Завойского, Федеральный исследовательский центр “Казанский научный центр РАН”
Россия

Казань



Г. А. Новиков
Казанский физико-технический институт им. Е. К. Завойского, Федеральный исследовательский центр “Казанский научный центр РАН”
Россия

Казань



В. А. Шустов
Казанский физико-технический институт им. Е. К. Завойского, Федеральный исследовательский центр “Казанский научный центр РАН”
Россия

Казань



К. Н. Галкин
Институт автоматики и процессов управления ДВО РАН
Россия

Владивосток



И. Б. Чистохин
Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН
Россия

Новосибирск



Ф. Ф. Комаров
Институт прикладных физических проблем имени А. Н. Севченко Белорусского государственного университета
Беларусь

Минск



О. В. Мильчанин
Институт прикладных физических проблем имени А. Н. Севченко Белорусского государственного университета
Беларусь

Минск



И. Н. Пархоменко
Белорусский государственный университет
Беларусь

Минск



Список литературы

1. http://www.matprop.ru/

2. A. Rogalski. Rep. Progress Phys., 68 (2005) 2267—2336

3. A. L. Tchebotareva, J. L. Brebner, S. Roorda, S. W. White. Nucl. Instum. Meth. Phys. Res B, 175177 (2001) 187—192

4. S. Prucnal, Sh. Zhou, X. Ou, S. Facsko, M.O. Liedke, F. Bregolin, B. Liedke, J. Grebing, M. Fritzsche, R. Hubner, A. Mucklich, L. Rebohle, M. Helm, M. Turek, A. Drozdziel, W. Skorupa. J. Appl. Phys., 115 (2014) 074306

5. L. Rebohle, R. Wutzler, S. Prucnal, R. Hubner, Y. M. Georgiev, A. Erbe, R. Bottger, M. Glaser, A. Lugstein, M. Helm, W. Skorupa. Phys. Status Solidi (с), 14 (2017) 1700188

6. M. A. Sortica, B. Canut, M. Hatori, J. F. Dias, N. Chauvin, O. Marty. Phys. Status Solidi (a), 212, N 12 (2015) 2686—2691

7. F. Komarov, L. Vlasukova, O. Milchanin, W. Wesch, E. Wendler, J. Zuk, I. Parkhomenko. Mater. Sci. Eng. B, 178 (2013) 1169—1177

8. Ф. Ф. Комаров, И. А. Романов, Л. А. Власукова, О. В. Мильчанин, И. Н. Пархоменко, Т. Б. Ковалева, О. В. Королик, А. В. Мудрый, E. Wendler. Журн. прикл. спектр., 83, № 6 (2016) 906—912 [F. F. Komarov, I. A. Romanov, L. A. Vlasukova, O. V. Milchanin, I. N. Parkhomenko, T. B. Kovaleva, O. V. Korolik, A. V. Mudryi, E. Wendler. J. Appl. Spectr., 83, N 6 (2017) 959—964]

9. И. Б. Хайбуллин, Л. С. Смирнов. ФТП, 19, № 4 (1985) 569—591

10. R. M. Bayazitov, L. Kh. Zakirzyanova, I. B. Khaibullin, I. F. Isakov, A. F. Chachakov. Vacuum, 43, N 5—7 (1992) 619—622

11. R. Bayazitov, R. Batalov, R. Nurutdinov, V. Shustov, P. Gaiduk, I. Dezsi, E. Kotai. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. B, 240 (2005) 224—228

12. A. L. Stepanov, R. I. Batalov, R. M. Bayazitov, A. M. Rogov. Vacuum, 182 (2020) 109724

13. G. E. Remnev, I. F. Isakov, M. S. Opekounov, G. I. Kotlyarevsky, V. L. Kutuzov, V. S. Lopatin, V. M. Matvienko, M. Yu. Ovsyagnikov, A. V. Potyomkin, V. A. Tarbokov. Surf. Coat. Technol., 96, N 1 (1997) 103—109

14. http://www.srim.org/

15. А. А. Ачкеев, Р. И. Хайбуллин, Л. Р. Тагиров, A. Mackova, V. Hnatowicz, N. Cherkashin. ФТТ, 53 (2011) 508—517

16. D. Recht, M. J. Smith, S. Charnvanichhborikarn, J. T. Sullivan, M. T. Winkler, J. Mathews, J. M. Warrender, T. Buonassisi, J. S. Williams, S. Gradecak, M. J. Aziz. J. Appl. Phys., 114 (2013) 124903

17. M. Wang, Y. Berencen, E. García-Hemme, S. Prucnal, R. Hubner, Y. Yuan, Ch. Xu, L. Rebohle, R. Bottger, R. Heller, H. Schneider, W. Skorupa, M. Helm, Sh. Zhou. Phys. Rev. Appl., 10 (2018) 024054

18. S. G. Pandya, M. E. Kordesch. Nanoscale Res. Lett., 10 (2015) 258

19. I. E. Tyschenko, V. A. Volodin, A. G. Cherkov, M. Stoffel, H. Rinnert, M. Vergnat, V. P. Popov. J. Lumin., 204 (2018) 656—662

20. S. Basu, B. J. Lee, Z. M. Zhang. J. Heat Transfer, 132 (2010) 023301

21. Ж. Панков. Оптические процессы в полупроводниках, Москва, Мир (1973) 104

22. Р. Бьюб. Фотопроводимость твердых тел, Москва, Иностр. лит. (1962) 184

23. M.-Ju. Sher, Yu-T. Lin, M. T. Winkler, E. Mazur, Ch. Pruner, A. Asenbaum. J. Appl. Phys., 113 (2013) 063520


Рецензия

Для цитирования:


Баталов Р.И., Базаров В.В., Нуждин В.И., Валеев В.Ф., Новиков Г.А., Шустов В.А., Галкин К.Н., Чистохин И.Б., Комаров Ф.Ф., Мильчанин О.В., Пархоменко И.Н. Структурные, оптические и фотоэлектрические свойства кремния, имплантированного ионами индия и сурьмы и подвергнутого импульсному отжигу. Журнал прикладной спектроскопии. 2024;91(6):804-812.

For citation:


Batalov R.I., Bazarov V.V., Nuzhdin V.I., Valeev V.F., Novikov H.A., Shustov V.A., Galkin K.N., Chistokhin I.B., Komarov F.F., Milchanin O.V., Parkhomenko I.N. Structural, optical, and photoelectric properties of silicon implanted with indium and antimony ions and subjected to pulsed annealing. Zhurnal Prikladnoii Spektroskopii. 2024;91(6):804-812. (In Russ.)

Просмотров: 456


ISSN 0514-7506 (Print)