ИССЛЕДОВАНИЕ ОПТИЧЕСКИХ СВОЙСТВ КРИСТАЛЛОВ СЕЛЕНИДА БАРИЯ II. ЭЛЕМЕНТАРНЫЕ ПОЛОСЫ ПЕРЕХОДОВ И ИХ ФУНДАМЕНТАЛЬНЫЕ ПАРАМЕТРЫ

Спектральные зависимости мнимых частей диэлектрической проницаемости ε₂ (E), объемных (-Imε^-1) и поверхностных (-Im(1+ε)^-1) характеристических потерь энергии электронов кристалла селенида бария разложены на 34 элементарные полосы в области 3-5.5 эВ при 2 К и в области 5.5-26 эВ при 77 К усовершенствованным методом объединенных диаграмм Арганда. Для каждой полосы спектров трех типов определены энергии максимумов E_i, полуширины H_i, амплитуды I_i, площади S_i и силы осцилляторов f_i. Параметр f_i рассчитан по модифицированной формуле, известной для эффективного количества валентных электронов n_eff(E). Установлены основные особенности 34 элементарных полос селенида бария в области 3-26 эВ, обусловленных экситонами и междузонными переходами поперечного и продольного типа.

селенид бария, энергия максимума, сила осциллятора, диэлектрическая проницаемость, объемные и поверхностные потери энергии, экситон, диаграмма Арганда, усовершенствованный метод, barium selenide, energy of maxima, oscillator strengths, dielectric permeability, volume and surface energy losses, exciton, Argand diagram, improved method

1. В. В. Соболев, В. В. Немошкаленко. Методы вычислительной физики в теории твердого тела. Электронная структура полупроводников, Киев, Наукова думка (1988)

2. В. В. Соболев. Оптические свойства и электронная структура неметаллов. I. Введение в теорию, Москва, Ижевск, Ин-т комп. исслед. (2012)

3. В. В. Соболев. Оптические свойства и электронная структура неметаллов. II. Моделирование интегральных спектров элементарными полосами, Москва, Ижевск, Ин-т комп. исслед. (2012)

4. T. S. Moss. Optical Properties of Semiconductors, London, Butterworths Sc. Publ. (1959)

5. В. В. Соболев. Собственные энергетические уровни твердых тел группы A4, Кишинев, Штиинца (1978)

6. S. Singh, A. Vij, S. P. Lochab, R. Kumar, N. Singh. Mater. Res. Bull., 45, N 5 (2010) 523-527

7. H. J. Freund. Surf. Sci., 601, N 1 (2007) 1438-1445

8. J. S. Elfimov, S. Yunoki, G. A. Sawatzky. Phys. Rev. Lett., 89, N 21 (2002) 216403(4)

9. J. Osorio-Guillen, S. Lany, S. V. Barabash, A. Zunger. Phys. Rev. Lett., 96, N 10 (2006) 107203(4)

10. M. Dadsetani, A. Pourghazi. Opt. Commun., 266, N 2 (2006) 562-564

11. M. Dadsetani, A. Pourghazi. Physica B, 370 (2005) 35-45

12. H. Nejatipour, M. Dadsetani. Phys. Scr., 90, N 8 (2015) 085802(16)

13. Y. Kaneko, T. Koda. J. Crystal. Growth, 86, N 1 (1988) 72-78

14. Y. Kaneko, K. Morimoto, T. Koda. J. Phys. Soc. Jpn., 52, N 12 (1983) 4385-4396

15. V. Val. Sobolev, V. V. Sobolev. Semiconduct. Semimet., 79 (2004) 201-228

16. A. I. Kalugin, V. V. Sobolev. Phys. Rev. B, 71, N 11 (2005) 115112(7)

17. С. В. Шушков, В. В. Соболев, В. Вал. Соболев. Сб. тр. VIII междунар. конф. “Аморфные и микрокристаллические полупроводники”, СПб, изд-во Политех. ун-та (2012) 364-366

18. Д. А. Мерзляков, В. В. Соболев, В. Вал. Соболев. Сб. тр. IX междунар. конф. “Аморфные и микрокристаллические полупроводники”, СПб, изд-во Политех. ун-та (2014) 372-374

19. В. В. Соболев, Д. А. Перевощиков, Д. А. Мерзляков, В. Вал. Соболев, Д. В. Анисимов, Е. А. Антонов. Сб. тр. X междунар. конф. “Аморфные и микрокристаллические полупроводники”, СПб, изд-во Политех. ун-та (2016) 119-120