THE STUDY OF THE OPTICAL PROPERTIES OF SELENIDE BARIUM CRYSTALS. II. THE ELEMENTAL TRANSITION BANDS AND THEIR FUNDAMENTAL PARAMETERS

The spectral dependences of the imaginary parts of dielectric permittivity ε₂ (E), volume (-Imε^-)¹ and surface (-Im(1+ε)^-1) characteristic losses of the electron energy of barium selenide are decomposed into 34 elemental components for the energy ranges from 3 to 5.5 eV at 2 K and from 5.5 to 26 eV at 77 K through the modified method of Argand’s united diagrams. For each band of the spectra of three types the values of energy maximum E_i , half-width H_i , amplitude I_i , square S_i , and oscillator strength f_i were determined. The f_i parameter was calculated using the modified formula known for the effective number of valent electrons n_eff(E). The features of 34 elementary bands of barium selenide in the range from 3 to 26 eV caused by the excitons and interband transitions of transverse and longitudinal types were established.

селенид бария, энергия максимума, сила осциллятора, диэлектрическая проницаемость, объемные и поверхностные потери энергии, экситон, диаграмма Арганда, усовершенствованный метод, barium selenide, energy of maxima, oscillator strengths, dielectric permeability, volume and surface energy losses, exciton, Argand diagram, improved method

1. В. В. Соболев, В. В. Немошкаленко. Методы вычислительной физики в теории твердого тела. Электронная структура полупроводников, Киев, Наукова думка (1988)

2. В. В. Соболев. Оптические свойства и электронная структура неметаллов. I. Введение в теорию, Москва, Ижевск, Ин-т комп. исслед. (2012)

3. В. В. Соболев. Оптические свойства и электронная структура неметаллов. II. Моделирование интегральных спектров элементарными полосами, Москва, Ижевск, Ин-т комп. исслед. (2012)

4. T. S. Moss. Optical Properties of Semiconductors, London, Butterworths Sc. Publ. (1959)

5. В. В. Соболев. Собственные энергетические уровни твердых тел группы A4, Кишинев, Штиинца (1978)

6. S. Singh, A. Vij, S. P. Lochab, R. Kumar, N. Singh. Mater. Res. Bull., 45, N 5 (2010) 523-527

7. H. J. Freund. Surf. Sci., 601, N 1 (2007) 1438-1445

8. J. S. Elfimov, S. Yunoki, G. A. Sawatzky. Phys. Rev. Lett., 89, N 21 (2002) 216403(4)

9. J. Osorio-Guillen, S. Lany, S. V. Barabash, A. Zunger. Phys. Rev. Lett., 96, N 10 (2006) 107203(4)

10. M. Dadsetani, A. Pourghazi. Opt. Commun., 266, N 2 (2006) 562-564

11. M. Dadsetani, A. Pourghazi. Physica B, 370 (2005) 35-45

12. H. Nejatipour, M. Dadsetani. Phys. Scr., 90, N 8 (2015) 085802(16)

13. Y. Kaneko, T. Koda. J. Crystal. Growth, 86, N 1 (1988) 72-78

14. Y. Kaneko, K. Morimoto, T. Koda. J. Phys. Soc. Jpn., 52, N 12 (1983) 4385-4396

15. V. Val. Sobolev, V. V. Sobolev. Semiconduct. Semimet., 79 (2004) 201-228

16. A. I. Kalugin, V. V. Sobolev. Phys. Rev. B, 71, N 11 (2005) 115112(7)

17. С. В. Шушков, В. В. Соболев, В. Вал. Соболев. Сб. тр. VIII междунар. конф. “Аморфные и микрокристаллические полупроводники”, СПб, изд-во Политех. ун-та (2012) 364-366

18. Д. А. Мерзляков, В. В. Соболев, В. Вал. Соболев. Сб. тр. IX междунар. конф. “Аморфные и микрокристаллические полупроводники”, СПб, изд-во Политех. ун-та (2014) 372-374

19. В. В. Соболев, Д. А. Перевощиков, Д. А. Мерзляков, В. Вал. Соболев, Д. В. Анисимов, Е. А. Антонов. Сб. тр. X междунар. конф. “Аморфные и микрокристаллические полупроводники”, СПб, изд-во Политех. ун-та (2016) 119-120