МЕХАНИЗМ АДГЕЗИОННОГО ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ ПЛЕНОК ДИАЗОХИНОННОВОЛАЧНОГО ФОТОРЕЗИСТА С МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИМ КРЕМНИЕМ
Аннотация
Методом ИК-Фурье-спектроскопии нарушенного полного внутреннего отражения исследованы радиационно-индуцированные процессы, протекающие при имплантации ионов бора и фосфора в пленки позитивного диазохинон-новолачного фоторезиста ФП9120 на кремнии. Установлено, что усиление адгезии резиста к монокристаллическому кремнию обусловлено образованием сложноэфирных сшивок между гидроксильными группами на поверхности оксидного слоя кремниевой пластины и карбоксильной группой 1-Н-инден-3-карбоновой кислоты.
Для цитирования:
Бринкевич С.Д., Гринюк Е.В., Бринкевич Д.И., Свердлов Р.Л., Просолович В.С., Петлицкий А.Н. МЕХАНИЗМ АДГЕЗИОННОГО ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ ПЛЕНОК ДИАЗОХИНОННОВОЛАЧНОГО ФОТОРЕЗИСТА С МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИМ КРЕМНИЕМ. Журнал прикладной спектроскопии. 2020;87(4):589-594.
For citation:
Brinkevich S.D., Grinyuk E.V., Brinkevich D.I., Sverdlov R.L., Prosolovich V.S., Pyatlitski A.N. MECHANISM OF ADHESIVE INTERACTION OF DIAZOQUINONE-NOVOLAC PHOTORESIST FILMS WITH MONOCRYSTALLINE SILICON. Zhurnal Prikladnoii Spektroskopii. 2020;87(4):589-594. (In Russ.)
Просмотров: 367
Послать статью по эл. почте 