Для цитирования:

Zhang Y., Wang K., Wang H., Tian Y., Wang Y., Li J., Chai Y. Оптические характеристики собственных дефектов 4H-SiC, облученного 10-МэВ электронами с последующим отжигом. Журнал прикладной спектроскопии. 2020;87(6):891-896.

For citation:

Zhang Y., Wang K., Wang H., Tian Y., Wang Y., Li J., Chai Y. Optical characterization of native defects in 4H-SiC irradiated by 10 MeV electrons with subsequent annealing. Zhurnal Prikladnoii Spektroskopii. 2020;87(6):891-896.