Preview

Журнал прикладной спектроскопии

Расширенный поиск
Доступ открыт Открытый доступ  Доступ закрыт Только для подписчиков

Вычисление плотности электронных состояний в валентной зоне из экспериментального спектра межзонного поглощения аморфных полупроводников

Полный текст:

Аннотация

Для аморфного углерода сопоставлены результаты эксперимента и расчета плотности электронных состояний из аналитического вида спектра межзонного поглощения. Из аналитического вида спектра межзонного поглощения также определены коэффициент пропорциональности и энергетическая ширина щели подвижности как подгоночные параметры. Для спектра межзонного поглощения, описанного методом приближения Дэвиса—Мотта по формуле Кубо—Гринвуда, для параболических разрешенных зон получено выражение для определения плотности электронных состояний в валентной зоне аморфных полупроводников. С использованием этого выражения и спектра межзонного поглощения, полученного из эксперимента для аморфного углерода, показана возможность определения плотности электронных состояний в валентной зоне.

Об авторах

Р. Г. Икрамов
Наманганский инженерно технологический институт
Узбекистан

Икрамов Рустамжон Гуломжонович.

160115, Наманган.



М. А. Нуриддинова
Наманганский инженерно-технологический институт
Узбекистан

Нуриддинова Машхура Анварбековна.

160115, Наманган.



Х. А. Муминов
Наманганский инженерно-технологический институт
Узбекистан

Муминов Хуршид Адхамжон угли.

160115, Наманган.



Список литературы

1. J. R. A. Abanto. On the Fundamental Absorption of Amorphous Semiconductors, Pontificia Universidad Catolica del Peru, Lima (2016)

2. J. Taus. In: Optical Properties of Solids, Ed. F. Abeles, North-Holland, Amsterdam (1972) 277—314

3. S. Zaynobidinov, R. G. Ikramov, M. A. Nuritdinova, R. M. Zhalalov. Ukr. J. Phys., 53, N 8 (2008) 789—793

4. С. Зайнобидинов, Р. Г. Икрамов, Р. М. Жалалов, М. А. Нуритдинова. Опт. и спектр., 110, № 5 (2o11) 813—818

5. В. И. Фистуль. Введения в физику полупроводников, Москва, Высшая школа (1984)

6. Р. Г. Икрамов. Естеств. и техн. науки, 6 (2oo7) 58—63

7. С. Зайнобидинов, Р. Г. Икрамов, Р. М. Жалалов. Журн. прикл. спектр., 78, № 2 (2o11) 243—247

8. G. D. Cody. In: Hydrogenated Amorphous Silicon, B. Optical Properties, Ed. J. I. Pankove, Academic, New York (1984) 11—82

9. N. F. Mott, E. A. Davis. Electronic Processes in Non-Crystalline Materials, Clarendon Press, Oxford (1979)

10. А. А. Андреев, И. С. Шлимак. В кн.: Фотоприемники и фотопреобразователи. Сб. науч. тр. АН СССР ФТИ им. Иоффе, Ленинград, Наука (1986)

11. А. А. Пронкин, А. В. Костановский. Теплофизика высоких температур, 53, № 2 (2o15) 312—314

12. Е. А. Коншина. Аморфный гидрогенизированный углерод и применение его в оптических устройствах, Санкт-Петербург, НИУ ИТМО (2o1o)

13. И. Н. Бронштейн, К. А. Семендяев. Справочник по математике для инженеров и учащихся втузов, Москва, Наука, Физматлит (1986)


Дополнительные файлы

Для цитирования:


Икрамов Р.Г., Нуриддинова М.А., Муминов Х.А. Вычисление плотности электронных состояний в валентной зоне из экспериментального спектра межзонного поглощения аморфных полупроводников. Журнал прикладной спектроскопии. 2021;88(3):378-382.

For citation:


Ikramov R.G., Nuriddinova M.A., Muminov Kh.A. Calculation of the Density Distribution of Electronic States in the Valence Band from the Experimental Spectrum of Interband Absorption of Amorphous Semiconductors. Zhurnal Prikladnoii Spektroskopii. 2021;88(3):378-382. (In Russ.)

Просмотров: 27


ISSN 0514-7506 (Print)