Preview

Журнал прикладной спектроскопии

Расширенный поиск
Доступ открыт Открытый доступ  Доступ закрыт Только для подписчиков

Вычисление плотности электронных состояний в валентной зоне из экспериментального спектра межзонного поглощения аморфных полупроводников

Аннотация

Для аморфного углерода сопоставлены результаты эксперимента и расчета плотности электронных состояний из аналитического вида спектра межзонного поглощения. Из аналитического вида спектра межзонного поглощения также определены коэффициент пропорциональности и энергетическая ширина щели подвижности как подгоночные параметры. Для спектра межзонного поглощения, описанного методом приближения Дэвиса—Мотта по формуле Кубо—Гринвуда, для параболических разрешенных зон получено выражение для определения плотности электронных состояний в валентной зоне аморфных полупроводников. С использованием этого выражения и спектра межзонного поглощения, полученного из эксперимента для аморфного углерода, показана возможность определения плотности электронных состояний в валентной зоне.

Для цитирования:


Икрамов Р.Г., Нуриддинова М.А., Муминов Х.А. Вычисление плотности электронных состояний в валентной зоне из экспериментального спектра межзонного поглощения аморфных полупроводников. Журнал прикладной спектроскопии. 2021;88(3):378-382.

For citation:


Ikramov R.G., Nuriddinova M.A., Muminov K.A. Calculation of the Density Distribution of Electronic States in the Valence Band from the Experimental Spectrum of Interband Absorption of Amorphous Semiconductors. Zhurnal Prikladnoii Spektroskopii. 2021;88(3):378-382. (In Russ.)

Просмотров: 331


ISSN 0514-7506 (Print)