Preview

Журнал прикладной спектроскопии

Расширенный поиск
Доступ открыт Открытый доступ  Доступ закрыт Только для подписчиков

Плотность состояний и межзонное поглощение света в тонких пленках β-Ga2O3

Полный текст:

Аннотация

Исследован длинноволновый край полосы фундаментального поглощения тонких пленок β-Ga2O3, полученных методом высокочастотного ионно-плазменного распыления. Показано, что при отжиге пленок в кислороде, аргоне и водороде край межзонного поглощения хорошо аппроксимируется эмпирическим правилом Урбаха. Для анализа экспериментальных результатов использована модель сильнолегированного или дефектного полупроводника в квазиклассическом приближении. Использование данной модели позволило определить радиус основного электронного состояния а, радиус экранирования rs и среднеквадратичный потенциал А.

Об авторах

О. М. Бордун
Львовский национальный университет им. Ивана Франко
Украина

79005, Львов



Б. О. Бордун
Львовский национальный университет им. Ивана Франко
Украина

79005, Львов



И. И. Кухарский
Львовский национальный университет им. Ивана Франко
Украина

79005, Львов



И. И. Медвидь
Львовский национальный университет им. Ивана Франко
Украина

79005, Львов



Список литературы

1. K. Matsuzaki, H. Yanagi, T. Kamiya, H. Hiramatsu, K. Nomura, M. Hirano, H. Hosono. Appl. Phys. Lett., 88, N 9 (2006) 092106

2. N. D. Cuong, Y. W. Park, S. G. Yoon. Sens. and Actuat. B, Chem., 140, N 1 (2009) 240—244

3. M. Orita, H. Ohta, M. Hirano, H. Hosono. Appl. Phys. Lett., 77, N 6 (2000) 4166—4168

4. O. M. Bordun, B. O. Bordun, I. Yo. Kukharskyy, I. I. Medvid, I. S. Zvizlo, D. S. Leonov. Nanosis-temi, Nanomateriali, Nanotehnologii, 17, N 3 (2019) 483—490

5. J.-G. Zhao, Zh.-X. Zhang, Z.-W. Ma, H.-G. Duan, X.-S. Guo, E.-Q. Xie. Chin. Phys. Lett., 25, N 10 (2008) 3787—3789

6. О. М. Бордун, Б. О. Бордун, И. И. Кухарский, И. И. Медвидь. Журн. прикл. спектр., 84, № 1 (2017) 56—62

7. P. Wellenius, A. Suresh, J. V. Foreman, H. O. Everitt, J. F. Muth. Mater. Sci. Eng. B, 146, N 1-3 (2008) 252—255

8. T. Minami, T. Shirai, T. Nakatani, T. Miyata. Jpn. J. Appl. Phys., 39, N 6A (2000) L524—L526

9. Е. В. Берлин, Л. А. Сейдман. Ионно-плазменные процессы в тонкопленочной технологии, Москва, Техносфера (2010)

10. О. М. Бордун, И. И. Кухарский, Б. О. Бордун, В. Б. Лущанец. Журн. прикл. спектр., 81, № 5 (2014) 699—703

11. O. M. Bordun, I. I. Medvid, I. Y. Kukharskyy, B. O. Bordun. Phys. Chem. Solid State, 17, N 1 (2016) 53—59

12. M. V. Kurik. Phys. Status Solidi A, 8, N 1 (1971) 9—45

13. Е. Джонсон. Оптические свойства полупроводников. Полупроводниковые соединения типа А3В5, под ред. Р. Уиллардсона, А. Бира, Москва, Мир (1970) 166—277

14. А. Л. Эфрос. Успехи физ. наук, 111 (1973) 451—482

15. Н. Д. Довга. Физ. электрон., № 33 (1986) 86—88


Для цитирования:


Бордун О.М., Бордун Б.О., Кухарский И.И., Медвидь И.И. Плотность состояний и межзонное поглощение света в тонких пленках β-Ga2O3. Журнал прикладной спектроскопии. 2021;88(2):193-196.

For citation:


Bordun O.M., Bordun B.O., Kukharskyy I.Y., Medvid I.I. Density of States and InterzoneLight Absorption in Thin β- Ga2O3 Films. Zhurnal Prikladnoii Spektroskopii. 2021;88(2):193-196. (In Russ.)

Просмотров: 6


ISSN 0514-7506 (Print)