Preview

Журнал прикладной спектроскопии

Расширенный поиск
Доступ открыт Открытый доступ  Доступ закрыт Только для подписчиков

Плотность состояний и межзонное поглощение света в тонких пленках β-Ga2O3

Аннотация

Исследован длинноволновый край полосы фундаментального поглощения тонких пленок β-Ga2O3, полученных методом высокочастотного ионно-плазменного распыления. Показано, что при отжиге пленок в кислороде, аргоне и водороде край межзонного поглощения хорошо аппроксимируется эмпирическим правилом Урбаха. Для анализа экспериментальных результатов использована модель сильнолегированного или дефектного полупроводника в квазиклассическом приближении. Использование данной модели позволило определить радиус основного электронного состояния а, радиус экранирования rs и среднеквадратичный потенциал А.

Для цитирования:


Бордун О.М., Бордун Б.О., Кухарский И.И., Медвидь И.И. Плотность состояний и межзонное поглощение света в тонких пленках β-Ga2O3. Журнал прикладной спектроскопии. 2021;88(2):193-196.

For citation:


Bordun O.M., Bordun B.O., Kukharskyy I.Y., Medvid I.I. Density of States and InterzoneLight Absorption in Thin β- Ga2O3 Films. Zhurnal Prikladnoii Spektroskopii. 2021;88(2):193-196. (In Russ.)

Просмотров: 213


ISSN 0514-7506 (Print)