![Доступ открыт](https://zhps.ejournal.by/lib/pkp/templates/images/icons/opened.png)
![Доступ закрыт](https://zhps.ejournal.by/lib/pkp/templates/images/icons/closed.png)
Плотность состояний и межзонное поглощение света в тонких пленках β-Ga2O3
Аннотация
Исследован длинноволновый край полосы фундаментального поглощения тонких пленок β-Ga2O3, полученных методом высокочастотного ионно-плазменного распыления. Показано, что при отжиге пленок в кислороде, аргоне и водороде край межзонного поглощения хорошо аппроксимируется эмпирическим правилом Урбаха. Для анализа экспериментальных результатов использована модель сильнолегированного или дефектного полупроводника в квазиклассическом приближении. Использование данной модели позволило определить радиус основного электронного состояния а, радиус экранирования rs и среднеквадратичный потенциал А.
Для цитирования:
Бордун О.М., Бордун Б.О., Кухарский И.И., Медвидь И.И. Плотность состояний и межзонное поглощение света в тонких пленках β-Ga2O3. Журнал прикладной спектроскопии. 2021;88(2):193-196.
For citation:
Bordun O.M., Bordun B.O., Kukharskyy I.Y., Medvid I.I. Density of States and InterzoneLight Absorption in Thin β- Ga2O3 Films. Zhurnal Prikladnoii Spektroskopii. 2021;88(2):193-196. (In Russ.)