Чисто электронный оптический переход и прямая энергетическая щель полупроводника
https://doi.org/10.47612/0514-7506-2022-89-1-43-50
Аннотация
С положительным результатом тестируется возможность применения метода определения частоты чисто электронного перехода по молекулярным диффузным вибронным спектрам к определению ширины прямой запрещенной зоны (энергетической щели) полупроводников. Данным методом из спектра фотопроводимости определяется ширина прямой запрещенной зоны между валентной зоной и зоной фотопроводимости.
Список литературы
1. В. А. Толкачёв. Журн. прикл. спектр., 84 (2017) 673—679.
2. В. А. Толкачев. Докл. АН Беларуси, 61, № 5 (2017) 50—55.
3. V. A. Tolkachev. SCIREA J. Phys., 5, N 4 (2020) 69—79.
4. В. А. Толкачёв. Журн. прикл. спектр., 86, № 3 (2019) 464—467.
5. V. A. Tolkachev, A. P. Blokhin. Sci. J. Anal. Chem., 7 (2019) 76—82.
6. V. A. Tolkachev. Am. J. Appl. Chem., 8, N 5 (2020) 121—125.
7. J. Aberg. Phys. Rev., 8 (2018) 011019.
8. D. J. Evans, D. J. Searles. Adv. Phys., 51, N 7 (2002) 1529—1585.
9. J. Kurchan. A Quantum Fluctuation Theorem.; arXiv:cond-mat/0007360v2 [cond-mat.stat-mech] 16 Aug. 2001.
10. В. А. Толкачёв. Журн. прикл. спектр., 87, № 6 (2021) 1005—1009.
11. В. А. Толкачёв. Журн. прикл. спектр., 85, № 5 (2018) 740—744.
12. E. H. Kennard. Phys. Rev., 11 (1918) 29—38.
13. E. Merritt. Phys. Rev., 28 (1926) 684—694.
14. Д.И. Блохинцев. ЖЭТФ, 9 (1939) 459.
15. В. А. Толкачёв. Журн. прикл. спектр., 85, № 2 (2018) 199—204.
16. P. Grosse, K. Winzer. Phys. Status Solidi, 26 (1968) 139—150.
17. J. S. Blakemore, K. C. Nomura. Phys. Rev., 127 (1962) 1024—1029.
18. W. H. Strehlow, E. L. Cook. J. Phys. Chem. Ref. Data, 2 (1973) 163—199.
19. S. Tutihasi, G. G. Roberts, R. C. Keezer, R. E. Drews. Phys. Rev., 177, N 3 (1969) 1143—1150.
20. J. Stuke. J. Non-Cryst. Solids, 4 (1970) 1—26.
21. B. L. Evans, P. A. Yong. Proc. Roy. Soc., A 297 (1967) 230—243.
22. F. Kosek, J. Tauc. Czech. J. Phys., B 20 (1970) 94—100.
23. K. J. Siemsen, E. W. Fenton. Phys. Rev., 161, N 3 (1967) 632—636.
24. H. P. D. Lanyon. Phys. Rev., 130 (1) (1963) 134—143.
25. A. B. Murphy. Solar Energy Mater. Sol. Cell., 91 (2007) 1326—1337.
26. Sh. U. M. Khan, M. Al-Shahry, W. B. Inger Jr. Science, 297 (2002) 2243—2245.
27. J. F. Muth, R. M. Kollas, A. K. Sharma, S. Oktyabrsky, J. Narayan. J. Appl. Phys., 85 (1999) 7884—7887.
28. Ü. Özgür, Ya. I. Alivov, C. Liu, A. Teke, M. A. Reshnikov, S. Dogan, V. Avrutin, S.-J. Cho, H. Morcoç. J. Appl. Phys., 98 (2005) 041301.
29. H. K. Rockstad. J. Non-Cryst. Sol., 2 (1970) 192—202.
30. K. Weiser, M. H. Brodsky. Phys. Rev. B, 1, N 2 (1970) 791—799.
31. J. L. Hartke, P. J. Regensburger. Phys. Rev., 139, N 3 (1965) A970—A980.
32. P. K. Weimer. Phys. Rev., 79 (1950) 171.
33. M. A. Gilleo. J. Chem. Phys., 19, N 10 (1951) 1291—1297.
34. W. C. Dash, R. Newman. Phys. Rev., 99, N 4 (1955) 1151—1155.
35. H. A. Weakliem, D. Redfield. J. Appl. Phys., 50, N 3 (1979) 1491—1493.
36. В. А. Толкачёв. Журн. прикл. спектр., 87, № 3 (2020) 498—503.
Рецензия
Для цитирования:
Толкачёв В.А. Чисто электронный оптический переход и прямая энергетическая щель полупроводника. Журнал прикладной спектроскопии. 2022;89(1):43-50. https://doi.org/10.47612/0514-7506-2022-89-1-43-50
For citation:
Tolkachev V.A. Vertical Pure Electronic Optical Transition and Semiconductor Direct Band Gap. Zhurnal Prikladnoii Spektroskopii. 2022;89(1):43-50. (In Russ.) https://doi.org/10.47612/0514-7506-2022-89-1-43-50