Инфракрасная Фурье-спектроскопия структур фоторезист/кремний, используемых для обратной литографии

Методом ИК-Фурье-спектроскопии нарушенного полного внутреннего отражения исследованы пленки фоторезиста (ФР) NFR 016D4, нанесенные на поверхность пластин кремния методом центрифугирования. Установлено, что при волновых числах <1600 см^–1 наблюдается возрастание фонового поглощения структур ФР/Si, обусловленное воздействием электромагнитного излучения на кремниевую подложку и процессами рассеяния/отражения на границе раздела ФР/Si. Обнаружена асимметричность силового поля ароматического кольца в пленке NFR 016D4. Показано, что особенности спектров пленок ФР NFR 016D4 с большей толщиной обусловлены наличием остаточного растворителя. В облученных пленках обнаружено образование формальдегида в результате фрагментации гидроксиметильных остатков в составе фенолформальдегидной смолы. Радиационно-индуцированные процессы в фоторезистивных пленках NFR 016D4 при дозах до 2 ∙ 10¹⁵ см^–1 происходят в основном при участии молекул остаточного растворителя либо на побочных продуктах синтеза фоторезистивной пленки.

1. K. M. Cheung, D. M. Stemer, Chuanzhen Zhao, T. D. Young, J. N. Belling, A. M. Andrews, P. S. Weiss. ACS Mater. Lett., 2, N 1 (2020) 76—83

2. У. Моро. Микролитография. Принципы, методы, материалы, Москва, Мир (1990)

3. Д. И. Бринкевич, А. А. Харченко, В. С. Просолович, В. Б. Оджаев, С. Д. Бринкевич, Ю. Н. Янковский. Микроэлектроника, 48, № 3 (2019) 235—239 197—201.

4. С. Д. Бринкевич, Е. В. Гринюк, Д. И. Бринкевич, В. С. Просолович. ХВЭ, 54, № 5 (2020) 377—386

5. I. Poljansek, U. Sebenik, M. Krajnc. J. Appl. Polymer. Sci., 99 (2006) 2016—2028

6. В. Б. Оджаев, А. Н. Петлицкий, В. С. Просолович, Н. С. Ковальчук, Я. А. Соловьев, Д. В. Жигулин, Д. В. Шестовский, Ю. Н. Янковский, Д. И. Бринкевич. Журн. прикл. спектр., 89, № 4 (2022) 498—504

7. Э. Преч, Ф. Бюльманн, К. Аффольтер. Определение строения органических соединений. Таблицы спектральных данных, Москва, Мир, Бином (2006)

8. Б. Н. Тарасевич. ИК спектры основных классов органических соединений. Справочные материалы, Москва, МГУ (2012)

9. С. Д. Бринкевич, Д. И. Бринкевич, В. С. Просолович, Р. Л. Свердлов. ХВЭ, 55, № 1 (2021) 66—75

10. А. А. Харченко, Ю. А. Федотова, И. А. Зур, Д. И. Бринкевич, С. Д. Бринкевич, Е. В. Гринюк, В. С. Просолович, С. А. Мовчан, Г. Е. Ремнев, C. А. Линник, С. Б. Ластовский. ХВЭ, 56, № 5 (2022) 378—387

11. С. Д. Бринкевич, Д. И. Бринкевич, В. С. Просолович. Микроэлектроника, 50, № 1 (2021) 36—42

12. Debmalya Roy, P. K. Basu, P. Raghunathan, S. V. Eswaran. Magn. Res. Chem., 41 (2003) 84—90

13. С. Д. Бринкевич, Е. В. Гринюк, Р. Л. Свердлов, Д. И. Бринкевич, В. С. Просолович, А. Н. Петлицкий. Журн. прикл. спектр., 87, № 4 (2020) 589—594

14. С. Д. Бринкевич, Д. И. Бринкевич, В. С. Просолович, С. Б. Ластовский, А. Н. Петлицкий. Журн. прикл. спектр., 87, № 6 (2020) 941—948

15. Г. Б. Толсторожев, И. В. Скорняков, М. В. Бельков, О. И. Шадыро, С. Д. Бринкевич, С. Н. Самович. Журн. прикл. спектр., 79, № 4 (2011) 658—663

16. А. Н. Олешкевич, Н. М. Лапчук, В. Б. Оджаев, И. А. Карпович, В. С. Просолович, Д. И. Бринкевич, С. Д. Бринкевич. Микроэлектроника, 49, № 1 (2020) 58—65