Preview

Журнал прикладной спектроскопии

Расширенный поиск
Доступ открыт Открытый доступ  Доступ закрыт Только для подписчиков

АНАЛИЗ ПОВЕРХНОСТИ КРЕМНИЯ, ИМПЛАНТИРОВАННОГО ИОНАМИ КИСЛОРОДА И ГЕЛИЯ, МЕТОДОМ СПЕКТРАЛЬНОЙ ЭЛЛИПСОМЕТРИИ

Полный текст:

Аннотация

Представлены результаты исследований методом спектральной эллипсометрии поверхности кремния, имплантированного ионами кислорода в интервале доз 7.5 × 1014-3.7 × 1016 ион/см2 и ионами гелия в интервале доз 6 × 1016-6 × 1017 ион/см2 с энергией 40 кэВ при постоянной плотности тока в ионном пучке 2 мкА/см2 и комнатной температуре облучаемых подложек. Получены зависимости толщины имплантированного слоя в облученных пластинах и степени его аморфизации от дозы ионной имплантации.

Об авторах

В. В. Базаров
Казанский физико-технический институт им Е. К. Завойского, обособленное структурное подразделение ФИЦ КазНЦ РАН
Россия


В. И. Нуждин
Казанский физико-технический институт им Е. К. Завойского, обособленное структурное подразделение ФИЦ КазНЦ РАН
Россия


В. Ф. Валеев
Казанский физико-технический институт им Е. К. Завойского, обособленное структурное подразделение ФИЦ КазНЦ РАН
Россия


Н. М. Лядов
Казанский физико-технический институт им Е. К. Завойского, обособленное структурное подразделение ФИЦ КазНЦ РАН
Россия


Список литературы

1. P. Petrik, O. Polga, M. Fried, T. Lohner, N. Q. Khanh, J. Gyulai. J. App. Phys., 93 (2003) 1987-1990

2. D. Shamiryan, D. V. Likhachev. Ion Implantation, Ed. M. Goorsky, InTech (2012) 89-104

3. V. V. Bazarov, V. F. Valeev, V. I. Nuzhdin, Y. N. Osin, G. G. Gumarov, A. L. Stepanov. Solid State Phenom., 233-234 (2015) 526-529

4. В. В. Базаров, В. И. Нуждин, В. Ф. Валеев, В. В. Воробьев, Ю. Н. Осин, А. Л. Степанов. Журн. прикл. спектр., 83, № 1 (2016) 55-59 [V. V. Bazarov, V. I. Nuzhdin, V. F. Valeev, V. V. Vorobev, Yu. N. Osin, A. L. Stepanov. J. Appl. Spectr., 83 (2016) 47-50]

5. V. V. Bazarov, V. I. Nuzhdin, V. F. Valeev, A. L. Stepanov. Vacuum, 148 (2018) 254-257

6. K. Tsunoda, S. Adachi, M. Takahashi. J. Appl. Phys., 91 (2002) 2936-2941

7. K. Kurihara, S. Hikino, S. Adachi. J. Appl. Phys., 96 (2004) 3247-3254

8. К. В. Карабешкин, П. А. Карасёв, А. И. Титов. ФТП, 47, № 2 (2013) 206-210 [K. V. Karabeshkin, P. A. Karaseov, A. I. Titov. Semiconductors, 47 (2013) 242-246]

9. К. В. Карабешкин, П. А. Карасёв, А. И. Титов. ФТП, 50, № 8 (2016) 1009-1015 [K. V. Karabeshkin, P. A. Karaseov, A. I. Titov. Semiconductors, 12 (2016) 989-995]

10. K. Kimura, Y. Oota, K. Nakajima, M. Suzuki, T. Aoki, J. Matsuo, A. Agarwal, B. Freer, A. Stevenson, M. Ameen. Nucl. Instr. Method Phys. Res. B, 211 (2003) 206-210

11. K. Kimura, S. Joumori, Y. Oota, K. Nakajima, M. Suzuki. Nucl. Instr. Method Phys. Res. B, 219-220 (2004) 351-357

12. A. V. Khomich, V. I. Kovalev, E. V. Zavedeev, R. A. Khmelnitskiy, A. A. Gippius. Vacuum, 78 (2005) 583-587

13. J. F. Ziegler, J. P. Biersack, M. D. Ziegler. SRIM. The Stopping and Range of Ions in Matter, SRIM Company (2008)


Для цитирования:


Базаров В.В., Нуждин В.И., Валеев В.Ф., Лядов Н.М. АНАЛИЗ ПОВЕРХНОСТИ КРЕМНИЯ, ИМПЛАНТИРОВАННОГО ИОНАМИ КИСЛОРОДА И ГЕЛИЯ, МЕТОДОМ СПЕКТРАЛЬНОЙ ЭЛЛИПСОМЕТРИИ. Журнал прикладной спектроскопии. 2019;86(1):151-154.

For citation:


Bazarov V.V., Nuzhdin V.I., Valeev V.F., Lyadov N.M. SPECTROSCOPIC ELLIPSOMETRY STUDY OF SILICON SURFACE IMPLANTED BY THE OXYGEN AND HELIUM IONS. Zhurnal Prikladnoii Spektroskopii. 2019;86(1):151-154. (In Russ.)

Просмотров: 63


ISSN 0514-7506 (Print)