АНАЛИЗ ПОВЕРХНОСТИ КРЕМНИЯ, ИМПЛАНТИРОВАННОГО ИОНАМИ КИСЛОРОДА И ГЕЛИЯ, МЕТОДОМ СПЕКТРАЛЬНОЙ ЭЛЛИПСОМЕТРИИ
Аннотация
Об авторах
В. В. БазаровРоссия
В. И. Нуждин
Россия
В. Ф. Валеев
Россия
Н. М. Лядов
Россия
Список литературы
1. P. Petrik, O. Polga, M. Fried, T. Lohner, N. Q. Khanh, J. Gyulai. J. App. Phys., 93 (2003) 1987-1990
2. D. Shamiryan, D. V. Likhachev. Ion Implantation, Ed. M. Goorsky, InTech (2012) 89-104
3. V. V. Bazarov, V. F. Valeev, V. I. Nuzhdin, Y. N. Osin, G. G. Gumarov, A. L. Stepanov. Solid State Phenom., 233-234 (2015) 526-529
4. В. В. Базаров, В. И. Нуждин, В. Ф. Валеев, В. В. Воробьев, Ю. Н. Осин, А. Л. Степанов. Журн. прикл. спектр., 83, № 1 (2016) 55-59 [V. V. Bazarov, V. I. Nuzhdin, V. F. Valeev, V. V. Vorobev, Yu. N. Osin, A. L. Stepanov. J. Appl. Spectr., 83 (2016) 47-50]
5. V. V. Bazarov, V. I. Nuzhdin, V. F. Valeev, A. L. Stepanov. Vacuum, 148 (2018) 254-257
6. K. Tsunoda, S. Adachi, M. Takahashi. J. Appl. Phys., 91 (2002) 2936-2941
7. K. Kurihara, S. Hikino, S. Adachi. J. Appl. Phys., 96 (2004) 3247-3254
8. К. В. Карабешкин, П. А. Карасёв, А. И. Титов. ФТП, 47, № 2 (2013) 206-210 [K. V. Karabeshkin, P. A. Karaseov, A. I. Titov. Semiconductors, 47 (2013) 242-246]
9. К. В. Карабешкин, П. А. Карасёв, А. И. Титов. ФТП, 50, № 8 (2016) 1009-1015 [K. V. Karabeshkin, P. A. Karaseov, A. I. Titov. Semiconductors, 12 (2016) 989-995]
10. K. Kimura, Y. Oota, K. Nakajima, M. Suzuki, T. Aoki, J. Matsuo, A. Agarwal, B. Freer, A. Stevenson, M. Ameen. Nucl. Instr. Method Phys. Res. B, 211 (2003) 206-210
11. K. Kimura, S. Joumori, Y. Oota, K. Nakajima, M. Suzuki. Nucl. Instr. Method Phys. Res. B, 219-220 (2004) 351-357
12. A. V. Khomich, V. I. Kovalev, E. V. Zavedeev, R. A. Khmelnitskiy, A. A. Gippius. Vacuum, 78 (2005) 583-587
13. J. F. Ziegler, J. P. Biersack, M. D. Ziegler. SRIM. The Stopping and Range of Ions in Matter, SRIM Company (2008)
Рецензия
Для цитирования:
Базаров В.В., Нуждин В.И., Валеев В.Ф., Лядов Н.М. АНАЛИЗ ПОВЕРХНОСТИ КРЕМНИЯ, ИМПЛАНТИРОВАННОГО ИОНАМИ КИСЛОРОДА И ГЕЛИЯ, МЕТОДОМ СПЕКТРАЛЬНОЙ ЭЛЛИПСОМЕТРИИ. Журнал прикладной спектроскопии. 2019;86(1):151-154.
For citation:
Bazarov V.V., Nuzhdin V.I., Valeev V.F., Lyadov N.M. SPECTROSCOPIC ELLIPSOMETRY STUDY OF SILICON SURFACE IMPLANTED BY THE OXYGEN AND HELIUM IONS. Zhurnal Prikladnoii Spektroskopii. 2019;86(1):151-154. (In Russ.)