Preview

Журнал прикладной спектроскопии

Расширенный поиск
Доступ открыт Открытый доступ  Доступ закрыт Только для подписчиков

Оптические характеристики собственных дефектов 4H-SiC, облученного 10-МэВ электронами с последующим отжигом

Полный текст:

Аннотация

Для исследования дефектов кристаллов 4H-SiC использована низкотемпературная фотолюминесценция после облучения высокоэнергетическими электронами. Изучены характеристики отжига и зависимость температуры детектирования от доз облучения. Результаты показывают, что в облученном электронами кристалле 4H-SiC доминирует эмиссия, связанная с дефектами углеродная антиструктура—вакансия (VCCSi)+. С повышением температуры детектирования излучение уменьшается и сдвигается в красную область, а полная ширина на полувысоте увеличивается, что связано с повышением концентрации носителей в результате термической активации при высокой температуре. Интенсивность излучения максимальна при Дозе облучения 7.9 × 1018 эл/см2, затем она уменьшается. Это свидетельствует о повреждении решетки, вызванном длительным высокоэнергетическим облучением, что уменьшает интенсивность радиационного дефекта в спектре.

Об авторах

Y. Zhang
Школа материаловедения и инженерии Тайюаньского университета науки и технологий
Китай
Тайюань, Шаньси 030024.


K. Wang
Школа материаловедения и инженерии Тайюаньского университета науки и технологий
Китай
Тайюань, Шаньси 030024.


H. Wang
Школа материаловедения и инженерии Тайюаньского университета науки и технологий
Китай
Тайюань, Шаньси 030024.


Y. Tian
Школа материаловедения и инженерии Тайюаньского университета науки и технологий; Инженерный профессиональный колледж Шаньси
Китай
Тайюань, Шаньси 030024.


Y. Wang
Второй научно-исследовательский институт Китайской группы электронных технологий
Китай
Тайюань, Шаньси 030024.


J. Li
Школа материаловедения и инженерии Тайюаньского университета науки и технологий
Китай
Тайюань, Шаньси 030024.


Y. Chai
Школа материаловедения и инженерии Тайюаньского университета науки и технологий
Китай
Тайюань, Шаньси 030024.


Список литературы

1. Y. Zhou, H. Hyuga, D. Kusano, Y. Yoshizawa, T. Ohji, K. Hirao, J. Asian Ceram. Soc., 3, 221-229 (2015).

2. Z. Huang, X. Zhang, T. Wang, G. Liu, H. Shao, Y. Wan, G. Qiao, Surf. Coat. Technol., 335, 198-204 (2018).

3. A. Gali, J. Mater. Res., 27, 897-909 (2012).

4. W. F. Koehl, B. B. Buckley, F. J. Heremans, G. Calusine, D. D. Awschalow, Nature, 479, 84-87 (2011).

5. A. Ellison, B. Magnusson, N. T. Son, L. Storasta, E. Janzen,Mater. Sci. Forum, 433-436, 33-38 (2003).

6. St. G. Muller, M. F. Brady, W. H. Brixius, R. C. Glass, H. Mc D. Hobgood, J. R. Jenny, R. T. Leonard, D. P. Malta, A. R. Powell, V. F. Tsvetkov, S. T. Allen, J. W. Palmour, C. H. Carter, Jr., Mater. Sci. Forum, 433-436, 39-44 (2003).

7. J. W. Steeds, F. Carosella, A. G. Evans, M. M. Ismail, L. R. Danks, W. Voegeli, Mater. Sci. Forum, 353-356, 381-384 (2001).

8. N. T. Son, P. N. Hai, E. Janzen, Phys. Rev. B, 63, 201201(R) (2011).

9. A. Mattausch, M. Bockstedte, O. Pankratov, J. W. Steeds, S. Furkert, J. M. Hayes, W. Sullivan, N. G. Wright, Phys. Rev. B, 73, 161201(R) (2006)

10. S. Nakashima, H. Harima, Phys. Status Solidi (a), 162, 39-64 (1997).

11. J. Steeds, K. Wang, Z. Li, Diamond Relat. Mater., 23, 154-156 (2012).

12. H. Wang, F. D. Medina, D. D. Liu, Y. Zhous, J. Phys.: Condens. Matter, 6, 5373-5386 (1994).

13. J. Garcia Sole, L. E. Bausa, D. Jaque, An Introduction to the Optical Spectroscopy of Inorganic Solids, Wiley, New York (2005).

14. M. Marco, M. Marianna, C. R. Pier, A. Alberto, J. Phys.: Condens. Matter, 24 135401 (2012).

15. R. C. Powell, Physics of Solid State Laser Materials, Springer Verlag, New York (1998).

16. J. W. Steeds, W. Sullivan, S. A. Furkert, G. A. Evans, Phys. Rev. B, 77, 195203 (2008).

17. J. W. Steeds, Phys. Rev. B, 80, 245202 (2009).

18. S. Castelletto, B. C. Johnson, V. Ivady, N. Stavrias, T. Umeda, A. Gali, T. Ohshima, Nature Mater., 13, 151-156 (2014).

19. H. Iuni, H. Mori, H. Fujita, Philos. Mag. B, 61, 107-124 (1990).

20. M. V. B. Pinheiro, E. Rauls, U. Gerstman, S. Greulich-Weber, H. Overhof, J.-M. Spacth, Phys. Rev. B, 70, 245204 (2004).


Рецензия

Для цитирования:


Zhang Y., Wang K., Wang H., Tian Y., Wang Y., Li J., Chai Y. Оптические характеристики собственных дефектов 4H-SiC, облученного 10-МэВ электронами с последующим отжигом. Журнал прикладной спектроскопии. 2020;87(6):891-896.

For citation:


Zhang Y., Wang K., Wang H., Tian Y., Wang Y., Li J., Chai Y. Optical characterization of native defects in 4H-SiC irradiated by 10 MeV electrons with subsequent annealing. Zhurnal Prikladnoii Spektroskopii. 2020;87(6):891-896.

Просмотров: 166


ISSN 0514-7506 (Print)