Preview

Журнал прикладной спектроскопии

Расширенный поиск
Доступ открыт Открытый доступ  Доступ закрыт Только для подписчиков

Влияние состава атмосферы высокочастотного распыления на плотность состояний и межзонное поглощение света в тонких пленках Y2O3

https://doi.org/10.47612/0514-7506-2021-88-6-881-886

Полный текст:

Аннотация

Исследован длинноволновый край полосы фундаментального поглощения тонких пленок Y2O3, полученных методом высокочастотного ионно-плазменного распыления. Показано, что при нанесении пленок в атмосфере аргона, кислорода или смеси данных газов край межзонного поглощения хорошо аппроксимируется эмпирическим правилом Урбаха. Для анализа экспериментальных результатов рассмотрены дифрактограммы полученных пленок и использована модель сильнолегированного или дефектного полупроводника в квазиклассическом приближении. Использование данной модели позволяет определить радиус основного электронного состояния, радиус экранирования и среднеквадратичный потенциал в зависимости от атмосферы распыления. 

Об авторах

О. М. Бордун
Львовский национальный университет им. Ивана Франко
Россия

Львов



И. О. Бордун
Львовский национальный университет им. Ивана Франко
Россия

Львов



И. Н. Кофлюк
Львовский национальный университет им. Ивана Франко
Россия

Львов



И. И. Кухарский
Львовский национальный университет им. Ивана Франко
Россия

Львов



И. И. Медвидь
Львовский национальный университет им. Ивана Франко
Россия

Львов



Список литературы

1. X. Yu, T. J. Marks, A. Facchetti. Nature Mater., 15, N 4 (2016) 383—396

2. N. Koslowski, R. C. Hoffmann, V. Trouillet, M. Bruns, S. Foro, J. J. Schneider. RSC Adv., 9 (2019) 31386—31397

3. K. Vini, Ch. Adukkathayar Aparna, K. M. Nissamudeen. Eur. Phys. J. Appl. Phys., 89, N 3 (2020) 30301

4. L. Mariscal-Becerra, R. Vazquez-Arreguin, U. Balderas, S. Carmona-Tellez, H. Murrieta Sanchez, C. Falcony. J. Appl. Phys., 121, N 12 (2017) 125111

5. W. Wang, P. Zhu. Opt. Express, 26, N 26 (2018) 34820—34829

6. Е. В. Берлин, Л. А. Сейдман. Ионно-плазменные процессы в тонкопленочной технологии, Москва, Техносфера (2010).

7. O. M. Bordun, I. O. Bordun, I. I. Kukharskyi, I. I. Medvid, Zh. Ia. Tsapovska, D. S. Leonov. Nanosist., Nanomater., Nanotehnol., 17, N 2 (2019) 353—360

8. О. М. Бордун, И. О. Бордун, И. И. Кухарский. Журн. прикл. спектр., 82, № 3 (2015) 380—385

9. M. V. Kurik. Phys. Status Solidi A, 8, N 1 (1971) 9—45

10. Е. Джонсон. Оптические свойства полупроводников. Полупроводниковые соединения типа А3В5, под ред. Р. Уиллардсона, А. Бира, Москва, Мир (1970) 166—277

11. C. de Mayrinck, R. L. Siqueira, J. Esbenshade, M. A. Schiavon, R. C. de Lima, H. P. Barbosa, S. J. L. Ribeiro, J. L. Ferrari. J. Alloys Compound., 816 (2020) 152591

12. H. Kajikawa, Y. Fukumoto, S. Hayashi, K. Shibutani, R. Ogawa, Y. Kawate. IEEE Transact. Magn., 27, N 2 (1991) 1422—1425

13. Г. Бетц, Г. Венер. Распыление твердых тел ионной бомбардировкой, под ред. Р. Бериша, 2, Москва, Мир (1986) 24—133 [

14. K. Meyer, I. K. Schuller, C. M. Faiko. J. Appl. Phys., 52, N 9 (1981) 5803—5805

15. H.Mase, T. Tanabe, G. Miyamoto. J. Appl. Phys., 50, N 5 (1979) 3684—3686

16. Ch. Park, M. Bujor, H. Poppa. Thin Solid Films, 113 (1984) 337—344

17. А. Л. Эфрос. Успехи физ. наук, 111 (1973) 451—482

18. О. М. Бордун, И. О. Бордун, И. И. Кухарский. Журн. прикл. спектр., 79, № 6 (2013) 984—989

19. Н. Д. Довга. Физ. электрон., № 33 (1986) 86—88

20. О. М. Бордун, Б. О. Бордун, И. И. Кухарский, И. И. Медвидь. Журн. прикл. спектр., 88, № 2 (2021) 193—196


Для цитирования:


Бордун О.М., Бордун И.О., Кофлюк И.Н., Кухарский И.И., Медвидь И.И. Влияние состава атмосферы высокочастотного распыления на плотность состояний и межзонное поглощение света в тонких пленках Y2O3. Журнал прикладной спектроскопии. 2021;88(6):881-886. https://doi.org/10.47612/0514-7506-2021-88-6-881-886

For citation:


Bordun O.M., Bordun I.O., Kofliuk I.M., Kukharskyy I.Y., Medvid I.I. Influence of the composition of the radio-frequency sputtering atmosphere on the density of states and interband light absorption in thin Y2O3 films. Zhurnal Prikladnoii Spektroskopii. 2021;88(6):881-886. (In Russ.) https://doi.org/10.47612/0514-7506-2021-88-6-881-886

Просмотров: 139


ISSN 0514-7506 (Print)