Preview

Журнал прикладной спектроскопии

Расширенный поиск
Доступ открыт Открытый доступ  Доступ закрыт Только для подписчиков

Влияние плотности поверхностных V-дефектов на лазерные свойства гетероструктур InGaN/GaN с множественными квантовыми ямами, выращенных на кремниевых подложках

https://doi.org/10.47612/0514-7506-2021-88-6-895-899

Полный текст:

Аннотация

Исследованы излучательные свойства гетероструктур InGaN/GaN с множественными квантовыми ямами (МКЯ), выращенных на кремниевых подложках, с различными толщинами квантовых ям при оптическом возбуждении. Установлена корреляция лазерных и фотолюминесцентных свойств с морфологией поверхности покровных слоев нитрида галлия и плотностью V-дефектов. Показано, что с ростом плотности V-дефектов происходит увеличение пороговой плотности мощности возбуждения генерации гетероструктур InGaN/GaN с МКЯ. 

Об авторах

А. В. Данильчик
Институт физики НАН Беларуси
Беларусь

Минск



А. В. Нагорный
Институт физики НАН Беларуси
Беларусь

Минск



Н. В. Ржеуцкий
Институт физики НАН Беларуси
Беларусь

Минск



А. Г. Войнилович
Институт физики НАН Беларуси
Беларусь

Минск



В. Н. Павловский
Институт физики НАН Беларуси
Беларусь

Минск



Е. В. Луценко
Институт физики НАН Беларуси
Беларусь

Минск



Список литературы

1. O. Moutanabbir, U. Gösele. Ann. Rev. Mater. Res., 40 (2010) 469—500

2. E. V. Lutsenko, V. N. Pavlovskii, V. Z. Zubialevich, A. I. Stognij, A. L. Gurskii, V. A. Hryshanau, A. S. Shulenkov, G. P. Yablonskii, O. Schön, H. Protzmann, M. Lünenbürger, B. Schineller, Y. Dikme, R. H. Jansen, M. Heuken. Phys. Status Solidi (c), N 1 (2002) 272—275

3. A. L. Gurskii, E. V. Lutsenko, V. N. Pavlovskii, V. Z. Zubialevich, A. G. Ryabtsev, G. I. Ryabtsev, G. P. Yablonskii, Y. Dikme, A. Szymakovski, H. Kalisch, R. H. Jansen, B. Schineller, M. Heuken. Int. Symp. Compd. Semicond. Post-Conf. Proc., 25–27 August, San Diego, USA IEEE (2003) 197—203

4. S. Guha, N. A. Bojarczuk. Appl. Phys. Lett., 73, N 11 (1998) 1487—1489

5. Dabing Li. Sci. Bull., 61, N 22 (2016) 1723—1725

6. E. V. Lutsenko, A. V. Danilchyk, N. P. Tarasuk, A. V. Andryieuski, V. N. Pavlovskii, A. L. Gurskii, G. P. Yablonskii, H. Kalisch, R. H. Jansen, Y. Dikme, B. Schineller, M. Heuken. Phys. Status Solidi, 5, N 6 (2008) 2263—2266

7. V. N. Pavlovskii, E. V. Lutsenko, A. V. Danilchyk, V. Z. Zubialevich, A. V. Muravitskaya, G. P. Yablonskii, H. Kalisch, R. H. Jansen, B. Schineller, M. Heuken. Int. Conf. Adv. Optoelectron. Lasers, 10–14 September, Sevastopol, Ukraine IEEE (2010) 265—267

8. V. Voronenkov, N. Bochkareva, R. Gorbunov, P. Latyshev, Y. Lelikov, Y. Rebane, A. Tsyuk, A. Zubrilov, Y. Shreter. Jpn. J. Appl. Phys., 52, N 8(2) (2013) 10—14

9. H. Wang, Q. Tan, X. He. JETP Lett., 112, N 3 (2020) 157—160

10. S. W. Chen, C. J. Chang, T. C. Lu. Crystals, 10, N 4 (2020) 311—321

11. X. Wang, F. Liang, D. Zhao, Z. Liu, J. Zhu, J. Yang. Nanoscale Res. Lett., 15, N 1 (2020) 191—201

12. Hung Ling Tsai, Ting Yu Wang, Jer Ren Yang, Chang Cheng Chuo, Jung Tsung Hsu, Zhe Chuan Feng, Makoto Shiojiri. Mater. Transact., 48, N 5 (2007) 894—898


Рецензия

Для цитирования:


Данильчик А.В., Нагорный А.В., Ржеуцкий Н.В., Войнилович А.Г., Павловский В.Н., Луценко Е.В. Влияние плотности поверхностных V-дефектов на лазерные свойства гетероструктур InGaN/GaN с множественными квантовыми ямами, выращенных на кремниевых подложках. Журнал прикладной спектроскопии. 2021;88(6):895-899. https://doi.org/10.47612/0514-7506-2021-88-6-895-899

For citation:


Danilchyk A.V., Nagornyi A.V., Rzheutskyi N.V., Voinilovich A.G., Pavlovskyi V.N., Lutsenko E.V. Effect of the density of surface V-defects on laser properties of InGaN/GaN heterosctructures with multiple quantum wells grown on silicon substrates. Zhurnal Prikladnoii Spektroskopii. 2021;88(6):895-899. (In Russ.) https://doi.org/10.47612/0514-7506-2021-88-6-895-899

Просмотров: 166


ISSN 0514-7506 (Print)