Влияние плотности поверхностных V-дефектов на лазерные свойства гетероструктур InGaN/GaN с множественными квантовыми ямами, выращенных на кремниевых подложках

Исследованы излучательные свойства гетероструктур InGaN/GaN с множественными квантовыми ямами (МКЯ), выращенных на кремниевых подложках, с различными толщинами квантовых ям при оптическом возбуждении. Установлена корреляция лазерных и фотолюминесцентных свойств с морфологией поверхности покровных слоев нитрида галлия и плотностью V-дефектов. Показано, что с ростом плотности V-дефектов происходит увеличение пороговой плотности мощности возбуждения генерации гетероструктур InGaN/GaN с МКЯ. 

1. O. Moutanabbir, U. Gösele. Ann. Rev. Mater. Res., 40 (2010) 469—500

2. E. V. Lutsenko, V. N. Pavlovskii, V. Z. Zubialevich, A. I. Stognij, A. L. Gurskii, V. A. Hryshanau, A. S. Shulenkov, G. P. Yablonskii, O. Schön, H. Protzmann, M. Lünenbürger, B. Schineller, Y. Dikme, R. H. Jansen, M. Heuken. Phys. Status Solidi (c), N 1 (2002) 272—275

3. A. L. Gurskii, E. V. Lutsenko, V. N. Pavlovskii, V. Z. Zubialevich, A. G. Ryabtsev, G. I. Ryabtsev, G. P. Yablonskii, Y. Dikme, A. Szymakovski, H. Kalisch, R. H. Jansen, B. Schineller, M. Heuken. Int. Symp. Compd. Semicond. Post-Conf. Proc., 25–27 August, San Diego, USA IEEE (2003) 197—203

4. S. Guha, N. A. Bojarczuk. Appl. Phys. Lett., 73, N 11 (1998) 1487—1489

5. Dabing Li. Sci. Bull., 61, N 22 (2016) 1723—1725

6. E. V. Lutsenko, A. V. Danilchyk, N. P. Tarasuk, A. V. Andryieuski, V. N. Pavlovskii, A. L. Gurskii, G. P. Yablonskii, H. Kalisch, R. H. Jansen, Y. Dikme, B. Schineller, M. Heuken. Phys. Status Solidi, 5, N 6 (2008) 2263—2266

7. V. N. Pavlovskii, E. V. Lutsenko, A. V. Danilchyk, V. Z. Zubialevich, A. V. Muravitskaya, G. P. Yablonskii, H. Kalisch, R. H. Jansen, B. Schineller, M. Heuken. Int. Conf. Adv. Optoelectron. Lasers, 10–14 September, Sevastopol, Ukraine IEEE (2010) 265—267

8. V. Voronenkov, N. Bochkareva, R. Gorbunov, P. Latyshev, Y. Lelikov, Y. Rebane, A. Tsyuk, A. Zubrilov, Y. Shreter. Jpn. J. Appl. Phys., 52, N 8(2) (2013) 10—14

9. H. Wang, Q. Tan, X. He. JETP Lett., 112, N 3 (2020) 157—160

10. S. W. Chen, C. J. Chang, T. C. Lu. Crystals, 10, N 4 (2020) 311—321

11. X. Wang, F. Liang, D. Zhao, Z. Liu, J. Zhu, J. Yang. Nanoscale Res. Lett., 15, N 1 (2020) 191—201

12. Hung Ling Tsai, Ting Yu Wang, Jer Ren Yang, Chang Cheng Chuo, Jung Tsung Hsu, Zhe Chuan Feng, Makoto Shiojiri. Mater. Transact., 48, N 5 (2007) 894—898